【技术实现步骤摘要】
一种增强散热的半导体结构
[0001]本申请涉及半导体的
,尤其涉及一种增强散热的半导体结构。
技术介绍
[0002]半导体是一种导电能力介于导体与非导体之间的材料,半导体元件根据半导体材料的特性,属于固态元件,其体积可以缩小到很小的尺寸,因此耗电量少,集成度高,在电子
获得了广泛的引用,而在高热量工作环境下,保持半导体元件的工作可靠性是一个非常重要的问题,因此散热性能已成为半导体元件的重要指标之一。随着电子产品往轻、薄、小的方向发展,市场对半导体散热要求越来越高,因此,需要对现有的半导体的散热性能做进一步提升。
技术实现思路
[0003]本技术实施例的目的在于:提供一种增强散热的半导体结构,其能够进一步提高半导体的散热性能。
[0004]为达上述目的,本申请采用以下技术方案:
[0005]提供一种增强散热的半导体结构,包括引线框架和芯片,所述芯片设置于所述引线框架表面;所述芯片远离所述引线框架的一侧连接有铜夹,所述铜夹和所述芯片被封装于封装体内;其中,所述铜夹的表面设有凹槽和/或凸台 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种增强散热的半导体结构,其特征在于,包括引线框架(1)和芯片(2),所述芯片(2)设置于所述引线框架(1)表面;所述芯片(2)远离所述引线框架(1)的一侧连接有铜夹(3),所述铜夹(3)和所述芯片(2)被封装于封装体(4)内;其中,所述铜夹(3)的表面设有凹槽(5)和/或凸台,用于增大所述铜夹(3)与所述封装体(4)之间的结合面积。2.根据权利要求1所述的增强散热的半导体结构,其特征在于,所述凹槽(5)和/或凸台设于所述铜夹(3)远离所述芯片(2)的一侧。3.根据权利要求2所述的增强散热的半导体结构,其特征在于,所述铜夹(3)远离所述引线框架(1)的端面距离所述封装体(4)远离所述引线框架(1)的端面0.05~0.15mm。4.根据权利要求3所述的增强散热的半导体结构,其特征在于,所述铜夹(3)远离所述引线框架(1)的端面距离所述封装体(4)远离所述引线框架(1)的端面0.1mm。5.根据权利要求3所述的增强散热...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹周,周刚,
申请(专利权)人:杰群电子科技东莞有限公司,
类型:新型
国别省市:
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