半导体模块制造技术

本发明专利技术提供能够使半导体元件的散热特性提高的半导体模块。在第一部件的下表面设置有第一导体突起。并且，在第一部件的下表面接合有第二部件。第二部件在俯视下与第一部件相比较小，且在内部包含半导体元件。设置有第二导体突起，该第二导体突起设置于第二部件，与第一导体突起向同一方向突出。第一部件以及第二部件经由第一导体突起以及第二导体突起安装于模块基板。在模块基板的安装面上设置有覆盖第一部件的表面的至少一部分的区域，并且具有与第一部件的顶面朝向同一方向的顶面、以及与顶面连续的侧面的密封材料。在密封材料的顶面和侧面、以及模块基板的侧面设置有金属膜。以及模块基板的侧面设置有金属膜。以及模块基板的侧面设置有金属膜。

【技术实现步骤摘要】
半导体模块


[0001]本专利技术涉及一种半导体模块。

技术介绍

[0002]在用于移动通信、卫星通信等的电子设备中，嵌入有将高频信号的收发功能一体化后的RF前端模块。RF前端模块具备具有高频放大功能的单片微波集成电路元件(MMIC)、控制高频放大电路的控制IC、开关IC、双工器等。
[0003]在下述的专利文献1中公开有在MMIC上层叠控制IC而实现小型化的构造。专利文献1中公开的模块包含搭载于模块基板上的MMIC、和层叠于该MMIC上的控制IC。MMIC的电极、控制IC的电极、以及模块基板上的电极通过电引线键合电连接。
[0004]专利文献1：美国专利申请公开第2015/0303971号说明书
[0005]在高频放大电路中，例如使用异质结双极晶体管(HBT)。HBT在工作中因产生集电极损失而发热。发热导致的HBT的温度上升向使集电极电流进一步增大的方向移动。当满足该正反馈条件时，HBT热失控。为了避免HBT的热失控而限制HBT的输出功率的上限值。

技术实现思路

[0006]为了实现高频放大电路的高输出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体模块，具备：第一部件，具有彼此朝向相反方向的下表面和顶面；第一导体突起，设置于上述第一部件的下表面；第二部件，接合于上述第一部件的下表面，在俯视下与上述第一部件相比小，且在内部包含半导体元件；第二导体突起，设置于上述第二部件，与上述第一导体突起向同一方向突出；模块基板，上述第一部件以及上述第二部件经由上述第一导体突起以及上述第二导体突起安装于上述模块基板；密封材料，配置于上述模块基板的安装有上述第一部件以及上述第二部件的面上，覆盖上述第一部件的表面的至少一部分的区域，且具有与上述第一部件的顶面朝向同一方向的顶面、以及与顶面连续的侧面；以及金属膜，设置于上述密封材料的顶面和侧面、以及上述模块基板的侧面。2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，上述第一部件的顶面从上述密封材料露出，上述金属膜与上述第一部件的顶面接触。3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，上述第一部件的侧面的一部分的区域从上述密封材料露出，上述金属膜与上述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉见俊二，竹松佑二，山口幸哉，上嶋孝纪，后藤聪，荒屋敷聪，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：