半导体激光器的制造方法技术

一种制造半导体器的方法。作为用电介质膜涂覆谐振腔的端面的制备步骤，对作为端面的半导体叠层结构的解理面进行等离子体清洗以阻止吸收激光的导电膜粘附在解理面。在等离子体清洗期间，将含有氩气和氮气的第一处理气体引入真空的ＥＣＲ溅射装置。在不施加电压的情况下将解理面暴露于处于等离子体态的第一处理气体中一段时间之后，引入含有氩气和氧气的第二处理气体，并当对硅靶施加电压时，将解理面暴露于处于等离子体态的第二处理气体中。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种用于阻止COD(破坏性光学损伤)水平降低的技术。
技术介绍
在制造高输出的半导体激光器中，通常采用称为不对称涂覆法的方法来涂覆谐振腔的端面。为了达到高效地发射激光束的目的，采用不对称涂覆法，在发射激光束的谐振腔的端面上形成低反射涂层，并在谐振腔的另一端面上形成高反射涂层。在不对称涂覆法的准备阶段，执行称为等离子体清洗的方法以便将谐振腔的端面的半导体叠层结构的解理面暴露于等离子体态的惰性气体(例如氩气)中数分钟。当在空气中分割半导体叠层结构时，这从解理面除去了在其依附于解理面之前漂浮在空气中的物质。脏的解理面降低了涂层的接触程度。因此希望解理面足够干净。其间，本专利技术的专利技术人通过实验发现采用传统的等离子体清洗技术，破化性光学损伤(COD)水平随等离子体清洗的持续时间的延长而降低。这里应当注意，COD表示从半导体激光器的谐振腔的端面发射的激光的热量被吸收到谐振腔的端面内从而破坏端面的现象，COD水平表示在产生COD时的激光的最低输出值。下面描述由本专利技术的专利技术人进行的实验。首先，准备作为实验试样的GaAs衬底，和电子回旋加速器谐振(下文称E本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器的制造方法，其通过用使用溅射装置的等离子体清洗来清洗半导体叠层结构的解理面而制造该半导体激光器，该解理面将作为谐振腔的端面，该方法包括：在溅射装置中放置具有解理面的半导体叠层结构的第一步骤；将包含反应气体和惰 性气体的处理气体引入到溅射装置中，然后使处理气体转变为等离子体态的第二步骤；以及当没有电压施加到靶材料时，将靶材料和解理面暴露于处于等离子体态的处理气体中，引起靶材料和反应气体反应以形成反射预定波长的光的化合物，以便在解理面上形成该 化合物薄膜的第三步骤。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山根启嗣，上田哲生，木户口勋，河田敏也，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]