半导体激光器、其制造方法和电子器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种可以以如单横模的单峰光束进行激光振荡的面发射半导体激光器，和可以容易地以高成品率制造这样的激光器的制造方法。当在ｎ型半导体衬底上形成具有柱型平台结构的面发射半导体激光器时，形成平台部分且直到ｐ侧电极和ｎ侧电极被形成。此后，跨ｐ侧和ｎ侧电极施加电压，且在提取输出光的同时激光器置于蒸汽气氛，由此在作为ｐ型ＤＢＲ层顶层的ｐ型Ａｌ↓［ｗ］Ｇａ↓［１－ｗ］Ａｓ层上形成Ａｌ氧化物层，且形成如凹透镜的折射率分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及面发射(surface emitting)半导体激光器，其制造方法，和电子器件的制造方法。
技术介绍
近年来，作为光通讯的激光器，人们已经注意到VCSEL(垂直腔面发射激光器)。这样的面发射激光器具有一种结构，其中有源层的上和下表面夹在n型反射层和p型反射层之间。一般地，由半导体多层膜制成的DBR(分布式布拉格反射器)用于每个n型反射层和p型反射层。一般地，所谓柱型台结构被用作面发射激光器的结构(例如，请参考专利文件1JP-A-2001-210908)。图15显示具有这样一种柱型台结构的面发射激光器的实例。如图15所示，为了制造这样的一种面发射激光器，在n型GaAs衬底101上依次生长n型DBR层102、下覆层103、有源层104、上覆层105、p型AlAs层106、p型DBR层107和p型GaAs接触层108。此后，通过光刻和干法蚀刻在垂直于衬底表面的方向上各向异性地蚀刻下覆层103、有源层104、上覆层105、p型AlAs层106、p型DBR层107和p型GaAs接触层108，由此制成具有30μm直径的圆柱台形状。随后，通过从外周选择性地氧化p型AlAs层106本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种面发射半导体激光器，其包括：第一反射层；所述第一反射层上的有源层；和所述有源层的第二反射层上，且从所述第二反射层提取输出光，其中具有预定折射率分布的氧化物层形成于所述第二反射层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：渡部义昭，成井启修，黑水勇一，山内义则，田中嘉幸，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]