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本发明涉及一种可以以如单横模的单峰光束进行激光振荡的面发射半导体激光器，和可以容易地以高成品率制造这样的激光器的制造方法。当在ｎ型半导体衬底上形成具有柱型平台结构的面发射半导体激光器时，形成平台部分且直到ｐ侧电极和ｎ侧电极被形成。此后，跨ｐ...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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