具有自对准半导体平台和接触层的半导体器件和相关器件的制造方法技术

一种制造半导体器件的方法，该方法包括：　　　　在衬底上形成半导体层；　　　　与衬底相对地在半导体层上形成导电层；　　　　与半导体层相对地在导电层上形成掩膜；　　　　选择性地除去由掩膜暴露的半导体层和导电层的部分，同时保留掩膜以定义半导体平台，该半导体平台具有位于掩膜和与衬底之间的平台侧壁以及和衬底相对的平台表面，并定义半导体平台和掩膜之间的平台表面上的接触层；　　　　在掩膜上和平台侧壁上形成钝化层；以及　　　　除去掩膜和掩膜上的钝化层的部分。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子领域，尤其涉及电子半导体器件和相关结构的形成方法。
技术介绍
激光器是由光子受激发射产生相干单色光束的器件。光子的受激发射也会产生光增益，这使激光器产生高光能的光束。许多材料能够产生激射效应，如某些高纯度晶体(常见的例子为红宝石)、半导体、某些类型的玻璃、特定气体如二氧化碳、氦气、氩气和氖气以及某些等离子体。最近，由半导体材料制造的激光器获得进展，从而具有尺寸更小、成本更低、以及通常和半导体器件相关的其它优点。在半导体领域中，光子起主要作用的器件称为“光子”或“光电子”器件。依此，光子器件可包括发光二极管(LED)、光电探测器、光伏器件和半导体激光器。半导体激光器和其它激光器相类似是因为发射的辐射具有空间和时间相干性。如前所述，激光辐射具有高度单色性(即带宽窄)，且其产生高度方向性的光束。然而，半导体激光器在许多方面不同于其它激光器。例如，在半导体激光器中，量子跃迁与材料的能带特性有关；半导体激光器可以具有很紧凑的尺寸，可能具有很窄的有源区和较大的激光束发散；结介质会强烈影响半导体激光器的特性；对于P-N结激光器，通过二极管本身的正向电流注入产生激射行为。总体上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：K·W·哈伯雷恩，M·J·伯格曼恩，R·罗萨多，D·T·埃梅森，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：发明
国别省市：