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一种制造半导体器件的方法，该方法包括：　　　　在衬底上形成半导体层；　　　　与衬底相对地在半导体层上形成导电层；　　　　与半导体层相对地在导电层上形成掩膜；　　　　选择性地除去由掩膜暴露的半导体层和导电层的部分，同时保留掩膜以定义半导体平台...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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