半导体激光装置和激光投影装置制造方法及图纸

提供一种半导体激光装置和激光投影装置，在端面反射率不同的半导体激光装置（１０）中，将配置在条状脊部（１０７ａ）上的电极，分割为由４个电极部（１）、（２）、（３）、（４）构成的四分割结构，使越是接近光出射端面侧的电极部，其注入电流越大。利用这种半导体激光装置，可以使与条状脊部对置的活性层内的载流子密度分布成为适合其光强度分布的分布，因此可以防止由于空间烧孔效应产生的横模的不稳定化和增益降低引起的高输出特性劣化。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及稳定地以高输出工作的半导体激光装置，特别涉及使用III-V族氮化物系半导体材料的半导体激光装置以及使用该装置的激光投影装置。
技术介绍
随着光通信和光存储装置的发展，对其中使用的半导体激光器的需要日益增加，以氮化镓为首的III-V族氮化物系半导体材料(AlxGayIn1-x-yN；其中0≤x≤1、0≤y≤1)构成的蓝紫色半导体激光器，作为用来实现利用光盘的超高密度记录的关键器件，开发正积极地进行。特别是，蓝紫色半导体激光器的高输出化，不仅使光盘的高速写入成为可能，而且是对作为光源使用光谱宽度狭窄的激光、可以显示鲜明颜色的激光显示器的应用等的新
的开拓所必需的技术。图10为示出具有电流狭窄结构的现有的半导体激光器的一例的示图。图10所示的半导体激光器100，具有在n型GaN基板101的上表面上顺序层叠n型AlGaN包(clad)层102、n型GaN光导层103、具有包含InGaN的多量子阱结构的活性层104、不掺杂GaN间隙层105、p型GaN光导层106以及p型AlGaN包层107而成的半导体层层叠体110。其中，上述p型AlGaN包层107是具有台面型的脊部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光装置，在半导体基板上备有具有脊型包层的半导体激光元件，其特征在于：上述半导体激光元件具有：利用载流子的注入进行激光振荡，在前方端面和后方端面上反射率不同的共振器；在该共振器的共振器轴向方向上延伸的用来将 载流子注入到该共振器的条状结构；和在该条状结构的上部配置的电极；上述条状结构上的电极，分割为大于等于２个，使得沿着共振器轴向方向排列多个电极部，在上述多个电极部中的位于射出激光的共振器的前方端面附近的电极部中，以与位 于上述共振器的后方端面附近的电极部相比在活性层内的电流密度大的方式注入电...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：水内公典，山本和久，笠澄研一，木户口勋，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]