用于ＩＩＩ族氮化物基器件的硅碳锗（ＳｉＣＧｅ）衬底及其形成方法技术

本发明专利技术提供了用于由Ⅲ族氮化物材料系统形成的电子器件的衬底，该衬底包含硅碳层以及在该硅碳层上的硅碳锗层，该硅碳层和硅碳锗层形成了用于由Ⅲ族氮化物材料系统形成的器件的衬底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件和光学器件的加工制造。
技术介绍
碳化硅(SiC)被用作各种电子和光学器件的衬底。很多电子和光学器件是由一种或更多种III族元素和氮(通常称为III族氮化物)组成的层形成的。一种III族氮化物是氮化镓。通常用氮化镓材料系统形成的器件包括例如晶体管和发光器件。氮化镓材料系统包括用铝、硼、镓和铟与氮的各种组合形成的合金。这包括各种二元端点(binary endpoints)和三元端点(ternary endpoints)，例如氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟镓(GaInN)等。碳化硅因其导电性而成为用氮化镓材料系统形成的器件的理想衬底。然而，尽管碳化硅具有与用氮化镓材料系统形成的材料的晶体结构相似的晶体结构时，碳化硅的晶格常数小于用氮化镓材料系统形成的材料的晶格常数。当氮化镓材料生长得比临界厚度更厚时，碳化硅与用氮化镓材料系统形成的材料之间的晶格失配导致在氮化镓材料中形成位错缺陷。这些位错使氮化镓基器件的性能和可靠性变差。遗憾的是，能呈现合适的电气特性并且具有与用氮化镓材料系统形成的材料的晶格常数相似的晶格常数的衬底还未被开发出来。因此，为了在碳化硅衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
形成用于由Ⅲ族氮化物材料系统形成的电子器件的硅碳锗衬底的方法，包括：形成硅碳层；　在所述硅碳层上形成硅碳锗层；以及在所述硅碳锗层上直接形成含Ⅲ族氮化物的电子器件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：维金奈M罗宾斯，
申请(专利权)人：安华高科技ECBUIP新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：SG[新加坡]