温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了用于由Ⅲ族氮化物材料系统形成的电子器件的衬底，该衬底包含硅碳层以及在该硅碳层上的硅碳锗层，该硅碳层和硅碳锗层形成了用于由Ⅲ族氮化物材料系统形成的器件的衬底。...
该专利属于安华高科技ＥＣＢＵＩＰ（新加坡）私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安华高科技ＥＣＢＵＩＰ（新加坡）私人有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。