半导体激光器制造技术

一种用于通信的半导体激光器。由此激光器提供的光模具有高功率输出束和窄的远场，因而能使该激光器高效地耦合到小数值孔径光纤内。此激光器由一种半导体异质结构和一个或数个光俘获层构成。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器，且尤其是适用于光通信的高功率半导体激光器。
技术介绍
半导体激光器一般是由pn-结形成的，此pn-结经过增强以使电子-空穴对有效的复合，导致辐射的发射(光能)。对半导体激光器的一个众所周知的改进是在P-型和N-型半导体层之间加入一种新材料层，此新材料层具有比P-型和N-型层更低的带隙能。由此种具有低带隙能材料形成的层通常在半导体激光器中叫做活性区(或活性层)。一般把两种不同材料间的界面称为异质结。因此，在P-型和N-型层之间加进另外一层(活性区)获得所谓的双异质结构，因为在P-型和N-型两种材料界面上各有一个异质结。根据打算达到的效果，可将活性区的掺杂设定在不同的水平。因而，目前半导体异质结构激光器通常都由三层或更多层半导体构成。最简单的激光器包括一个P-型约束区(P-型层)、一个N-型约束区(N-型层)和一个活性区。活性区典型地由好几层组成，而且处在P-型和N-型约束区之间的pn-结的耗尽区内。由于在活性区及P-型和N-型约束区之间的折射率不同，光学模式主要是被约束在活性区。当异质结构是前向偏置时，活性区为光学模式提供增益。正是在活性区内，一旦半导体激本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器，包括多个层，这些层包括：１）第一金属接触层；２）Ｎ－型半导体衬底；３）Ｎ－型半导体光俘获层；４）Ｎ－型半导体约束层；５）活性区，该活性区包括半导体材料；６）Ｐ－型半导体约束层 ，其中Ｐ－型半导体约束层，活性区和Ｎ－型半导体约束层共同组成一个异质结构，该异质结构具有一个非常接近并处在活性区内的ｐｎ－结（耗尽区）；７）Ｐ－型接触层；８）至少一个介质层，所述至少一个介质层的每一个具有通过它蚀刻出的一条通 路，以提供到Ｐ－型接触层的电接触入口；９）与Ｐ－型接触层...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：B赖德，
申请(专利权)人：波科海姆技术公共有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]