半导体发光器件、其结构单元及制造方法技术

一种氮化物基化合物半导体发光器件，包括：第一导电衬底（１１）；形成在所述第一导电衬底（１１）上的第一欧姆电极（１２）；形成在所述第一欧姆电极（１２）上的键合金属层（２０）；形成在所述键合金属层（２０）上的第二欧姆电极（１３）；以及形成在所述第二欧姆电极（１３）上的氮化物基化合物半导体层（３０）。所述氮化物基化合物半导体层（３０）包括至少一Ｐ型层（３１）、发光层（３２）和Ｎ型层（３３），且具有凹槽部分（５０）或凹面形部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种能够在红到紫外范围内发光的氮化物基化合物半导体发光器件，其结构单元及其制造方法，更特别地，本专利技术涉及一种具有结合(bonded)到其上的导电衬底并具有凹槽部分的氮化物基化合物半导体发光器件、其结构单元及其制造方法。
技术介绍
例如以InxGayAlzN(x+y+z＝1，0≤x＜1，0＜y≤1，0≤z＜1)表示的氮化物基化合物半导体具有大的能量带隙和高的热稳定性，并允许通过调节其组分控制带隙宽度。因此，作为一种可以应用到诸如发光器件、高温器件等多种半导体器件的材料，氮化物基化合物半导体已经引起人们的注意。特别地，对于利用氮化物基化合物半导体的发光二极管来说，已经开发出了在蓝色到绿色波长范围内发光强度为几个cd等级的器件并投入了实用。对于用于大容量光盘媒质的拾取光源(pickup light source)来说，采用氮化物基化合物半导体的激光二极管的实际应用正成为研究与开发的目标。日本专利公开No.09-008403公开了这样的激光器或发光二极管的器件结构。具体地说，如图7所示，在形成有正电极107的导电衬底100上形成第一欧姆电极102和第二欧姆电极101。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物基化合物半导体发光器件，包括：第一导电衬底（１１）；形成在所述第一导电衬底（１１）上的第一欧姆电极（１２）；形成在所述第一欧姆电极（１２）上的键合金属层（２０）；形成在所述键合金属层（２０）上的第二 欧姆电极（１３）；以及形成在所述第二欧姆电极（１３）上的氮化物基化合物半导体层（３０）；其中，所述氮化物基化合物半导体层（３０）包括至少Ｐ型层（３１）、发光层（３２）和Ｎ型层（３３），且具有凹槽部分（５０）或凹面形部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：幡俊雄，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]