半导体发射器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种具有纳米图案的半导体发射器件以及制造该半导体发射器件的方法。该半导体发射器件包括：半导体层，包括多个纳米图案，其中所述纳米图案形成在所述半导体层内；以及有源层，形成在该半导体层上。因此光学输出效率提高且半导体发射器件的内部缺陷减少。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发射器件，更特别地，涉及具有用于改善光学效率的纳米图案的。
技术介绍
发光二极管(LED)是用于利用化合物半导体的特性发射从电能转化为光例如红外线或可见射线的信号的器件。LED是一类电致发光(EL)器件，近来，III-V族化合物半导体LED被大量使用。III族氮化物的化合物半导体是直接跃迁型半导体，其与利用其他类半导体的器件相比能在更高温下稳定地操作，且广泛用于诸如LED或激光二极管(LD)的发射器件中。这样的III族氮化物化合物半导体通常形成在蓝宝石(Al2O3)衬底上。正在对各类LED进行研究以提高发光效率，即光学输出效率。例如，正在研究在LED的光学输出区域中形成不平坦结构以提高光学输出效率。在具有不同折射率的材料层的界面，光学传播根据各材料层的折射率而受到限制。当光从具有高折射率n＝2.5的半导体层行进到平坦界面上具有小折射率n＝1的空气层时，光应当相对于界面的垂直方向以预定角或更小的角入射在该平坦界面上。当光以预定角或更大的角入射时，光在该平坦界面上全内反射且光学输出效率极大降低。因此，为了防止光学输出效率的降低，已经尝试在界面处引入不平坦结构。图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发射器件，包括：　　　　半导体层，包括多个纳米图案，其中所述纳米图案形成在所述半导体层内；以及　　　　有源层，形成在该半导体层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李庭旭，金显秀，金柱成，尹皙胡，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]