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本发明提供一种具有纳米图案的半导体发射器件以及制造该半导体发射器件的方法。该半导体发射器件包括：半导体层，包括多个纳米图案，其中所述纳米图案形成在所述半导体层内；以及有源层，形成在该半导体层上。因此光学输出效率提高且半导体发射器件的内部缺陷...
该专利属于三星电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电机株式会社授权不得商用。

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