一种氮化镓基外延膜的制备方法技术

一种氮化镓基外延膜的制备方法，涉及一种氮化镓基外延膜。提供一种提高氮化镓激光剥离的速率，降低氮化镓激光剥离的阈值功率密度的氮化镓基外延膜的制备方法。在蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜，将其Ｐ面粘在衬底支撑材料上，或用金属键合在衬底支撑材料上；设定电动平台的行进速度；将外延膜固定在载物玻璃上，放入真空室中抽真空；调整激光束经过光学系统后的聚焦光斑大小，激光束照射到外延膜背面，激光光斑扫描外延膜，使蓝宝石和氮化镓界面的氮化镓发生分解，氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离；激光扫描蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜结束后，关闭真空泵；将外延膜浸入盐酸，去除氮化镓和蓝宝石表面的镓，使蓝宝石衬底脱落。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化镓基外延膜，尤其是涉及一种通过降低气压对蓝宝石衬底上的GaN 外延膜进行激光剥离的方法。
技术介绍
GaN及其相关m族氮化物材料通过调整合金组分，可以获得从1.9eV(InN)至」6.2eV(AlN) 连续可调的带隙能，因此，III族氮化物能覆盖从紫外光到可见光这样一个很宽范围的频谱， 这是它们成为制备蓝光、绿光发光二极管以及紫外探测器和半导体激光器的优选材料而备受 重视。由于很难得到大尺寸的GaN单晶材料，目前，GaN器件通常采用蓝宝石作为衬底，通过 异质外延的方法制作。但是蓝宝石作为异质衬底存在高的晶格失配和高的热失配、导热性、 导电性能差等缺点，这一系列的难题促进GaN激光剥离技术的研究。键合技术和激光剥离技 术相结合能将GaN从蓝宝石衬底转移到其它高电导率、热导率的衬底上，解决了蓝宝石衬底 给器件带来的不利影响。激光剥离技术(LLO: Laser Lift-off)是采用紫外光波段的激光光源透过蓝宝石衬底辐照 样品，使蓝宝石/GaN界面处的GaN发生热分解生成金属Ga以及N2。 N2逸出，加热样品至 金属Ga的熔点(29°C)，使Ga融化，即能实现蓝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基外延膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：１）采用金属有机物气相外延法、分子束外延法或氢化物外延法在蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜；２）将蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜的Ｐ面用环氧树脂粘在衬底支撑材料上，或用金属 键合在衬底支撑材料上；３）根据所要求的激光光斑大小和激光器脉冲频率设定电动平台的行进的速度；４）将蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜固定在载物玻璃上，再连同电动平台一起放入真空室中抽真空；５）调节激光器的输出能量密度，调 整激光束经过光学系统后的聚焦光斑大小，激光束进入真空室的石英透镜窗口，照射到蓝宝...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宝林，黄瑾，郑清洪，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]