应用奈米小球形成二维图案的方法技术

本发明专利技术涉及一种形成二维图案的方法，其包含：在一基板上涂覆多个小球；利用所述小球于所述基板上形成一屏蔽；蚀刻所述基板；及自所述基板移除所述屏蔽。此外，本发明专利技术另涉及一种处理一基板表面之方法，其包含：在所述基板表面上涂覆多个小球；在所述小球之间沉积一物质；及移除所述小球以在所述基板表面留下所述沉积之物质。根据本发明专利技术所提供的方法，其可提供更快、更简易及低成本之制程。此外，其所制作成之发光装置可具有较佳的光萃取效率及可变的光场图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微影方法，尤其涉及一种应用奈米小球形成二维图案的 方法。 背录技术发光二极管是一种相当常见的光电元件， 一般而言具有粗化表面的发光二极管或是具有二维光子晶体(photonic crystal)的发光二极管会比具有平滑表面的发光二极管具有更高的光萃取效率。常见于发光二极管表面形成二 维光子晶体的技术有以下三种电子束微影技术(Electron Beam Lithography, EBL)、奈米压印技术(Nanoimprint Lithography, NIL)以及聚合物微影技术 (Copolymer Lithography, CPU 0目前已有多篇专利揭露利用电子束微影技术于发光二极管基板表面形成 二维光子晶体的方法，例如美国专利公开号2006/0027815与2005/0285132。一般而言，已知技术是在一发光二极管基板上涂覆一层光阻，然后利用电子 束照射部分区域的光阻。当移除被照射的光阻部分后剩下的光阻部分便可当 作一蚀刻屏蔽，在进行反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching, RIE)并且移除屏蔽后，一二维图案便在发光二极管的基板上形成了。利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成二维图案的方法，其包含：在一基板上涂覆多个小球；利用所述小球于所述基板上形成一屏蔽；蚀刻所述基板；及自所述基板移除所述屏蔽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭浩中，唐诗韵，褚宏深，蔡勇，
申请(专利权)人：香港应用科技研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]