一种加热盘结构制造技术

本发明专利技术提供了一种加热盘结构，包括基座，开设有通气孔；底盘，设于所述基座，所述底盘设有与所述通气孔导通的接气孔，所述底盘远离所述基座的表面设有气流通道，所述气流通道与所述接气孔导通；驱动器，具有旋转部和伸缩部，所述旋转部可旋转的设于所述底盘，所述旋转部可带动所述伸缩部旋转；顶盘，盖合所述底盘形成气腔，所述顶盘对应所述气流通道设有若干排气孔；遮挡杆，设于所述气腔内与所述伸缩部连接，所述遮挡杆可遮挡部分所述排气孔。本发明专利技术可调节加热盘表面的温度，使加热盘表面的温度均匀，提高在晶圆上沉积薄膜时的均匀性。提高在晶圆上沉积薄膜时的均匀性。提高在晶圆上沉积薄膜时的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种加热盘结构


[0001]本专利技术涉及半导体薄膜沉积的
，尤其涉及一种加热盘结构。

技术介绍

[0002]半导体设备在进行沉积反应时往往需要使腔室内的工作温度维持在沉积反应所需要的温度。所以，腔室内的加热盘必需具备加热结构，并且满足加热盘周围的温度均匀。
[0003]目前，大多数半导体薄膜沉积设备，在沉积过程中还会有等离子体辐射和暴露于基板表面的离子轰击参与沉积反应，因等离子体能量的释放以及化学气体间反应的能量释放，加热盘及晶圆的温度会随着射频及工艺时间的增加温度会不断的上升，存在显著的热负荷，导致晶圆表面的薄膜沉积速率不同，致使薄膜沉积不均匀，导致失败。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种加热盘结构，可调节加热盘表面的温度，使加热盘表面的温度均匀，提高在晶圆上沉积薄膜时的均匀性。
[0005]为实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种加热盘结构，包括基座，开设有通气孔；底盘，设于所述基座，所述底盘设有与所述通气孔导通的接气孔，所述底盘远离所述基座的表面设有气流通道，所述气流通道与所述接气孔导通；驱动器，具有旋转部和伸缩部，所述旋转部可旋转的设于所述底盘，所述旋转部可带动所述伸缩部旋转；顶盘，盖合所述底盘形成气腔，所述顶盘对应所述气流通道设有若干排气孔；遮挡杆，设于所述气腔内与所述伸缩部连接，所述遮挡杆可遮挡部分所述排气孔。
[0006]本专利技术的有益效果在于：通过在所述基座上开设通气孔，用于接通惰性气体。所述底盘设置在所述基座，所述底盘设有与所述通气孔导通的接气孔。所述顶盘盖合所述底盘形成气腔，所以加热的惰性气体可通过接气孔导入至气腔内，并通过所述顶盘上的若干排气孔均匀排出，保证加热盘的释放的温度均匀。当加热盘某个区域温度过高，可通过驱动器控制遮挡杆运动，遮挡部分的排气孔，实现温度的调节，使加热盘表面的温度均匀，提高在晶圆上沉积薄膜时的均匀性。
[0007]可选的，还包括设于所述底盘的接气阀，所述接气阀为环形，所述接气阀具有输入孔和若干输出孔，所述输入孔与若干所述输出孔均导通，若干所述输出孔间隔设于所述接气阀的侧壁，所述输入孔与所述接气孔导通。其有益效果在于：通过设置环形的接气阀，且将若干所述输出孔间隔设于所述接气阀的侧壁，从而接气时，惰性气体可快速均匀的导入至气腔内，提高加热盘表面温度的均匀性。
[0008]可选的，所述气流通道包括若干直线形凹槽和若干环形凹槽；若干所述环形凹槽间隔设置且与所述接气阀同心度；所述直线形凹槽对应所述输出孔设置，且将相邻的所述环形凹槽导通。其有益效果在于：通过设置若干直线形凹槽和若干环形凹槽形成气流通道，并且所述环形凹槽间隔设置且与所述接气阀同心度，所述直线形凹槽对应所述输出孔设置，气体会通过直线形凹槽和环形凹槽快速均匀的导入气腔内，进一步保证了加热盘表面
温度的均匀性。
[0009]可选的，所述遮挡杆与所述直线形凹槽适配；当所述伸缩部回缩时，所述遮挡杆可覆盖所述直线形凹槽，当所述伸缩部上升时，所述遮挡杆遮挡部分所述排气孔。其有益效果在于：当检测到加热盘某个区域温度过高时，将所述遮挡杆旋转至该区域对应的直线形凹槽或排气孔，通过遮挡所述直线形凹槽或排气孔，来快速降低该区域的温度。
[0010]可选的，所述接气阀上设有安装槽，所述旋转部设于所述安装槽内。其有益效果在于：通过在接气阀上开设安装槽，且将所述旋转部设于所述安装槽内，使加热盘整体结构紧凑，并且旋转部旋转时，可将遮挡杆旋转至与输出孔对应的直线形凹槽。
[0011]可选的，还包括连接件，所述连接件的一端与所述伸缩部可拆卸连接，所述连接件的另一端与所述遮挡杆可拆卸连接。其有益效果在于：通过所述连接件将所述伸缩部与所述遮挡杆连接，便于加热盘的装配，以及后续产品的维修替换。
[0012]可选的，所述顶盘与所述底盘可拆卸连接。其有益效果在于：通过将所述顶盘与所述底盘设置为可拆卸连接，进一步便于加热盘的组装，实现加热盘生产的产业化。
[0013]可选的，所述旋转部为旋转电机，所述伸缩部为电动推杆，所述电动推杆设于所述旋转电机。其有益效果在于：调节器可旋转和伸缩，实现对加热盘温度的调节。
附图说明
[0014]图1为本专利技术提供的实施例加热盘结构的爆炸图；
[0015]图2为本专利技术提供的实施例加热盘结构不显示顶盘的结构示意图；
[0016]图3为本专利技术提供的实施例加热盘结构的轴侧图。
[0017]附图标记：
[0018]基座100、底盘200、环形凹槽201、直线形凹槽202、顶盘300、排气孔301、驱动器400、伸缩部401、旋转部402、遮挡杆500、接气阀600、安装槽601、输出孔602、连接件700。
具体实施方式
[0019]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
[0020]针对现有技术存在的问题，本专利技术的实施例提供了一种加热盘结构，参考图1至3所示，该加热盘结构包括基座100、底盘200、驱动器400、顶盘300和遮挡杆500。其中，所基座100开设有通气孔。所述底盘200设于所述基座100，所述底盘200设有与所述通气孔导通的接气孔，所述底盘200远离所述基座100的表面设有气流通道，所述气流通道与所述接气孔导通。所述驱动器400具有旋转部402和伸缩部401，所述旋转部402可旋转的设于所述底盘200，所述旋转部402可带动所述伸缩部401旋转，所述伸缩部401位于所述旋转部402的上方。所述顶盘300盖合所述底盘200形成气腔，所述顶盘300对应所述气流通道设有若干排气
孔301。所述遮挡杆500设于所述气腔内与所述伸缩部401连接，所述遮挡杆500可遮挡部分所述排气孔301。
[0021]在本实施例中，通过在所述基座100上开设通气孔(图中未显示)，用于接通惰性气体。所述底盘200设置在所述基座100上，所述底盘200设有与所述通气孔导通的接气孔(图中未显示)。所述顶盘300盖合所述底盘200形成气腔，所以加热的惰性气体可通过接气孔导入至气腔内，并通过所述顶盘300上的若干排气孔301均匀排出，保证加热盘的释放的温度均匀。当加热盘某个区域温度过高，可通过驱动器400控制遮挡杆500运动，遮挡部分的排气孔301，实现温度的调节，使加热盘表面的温度均匀，提高在晶圆上沉积薄膜时的均匀性。
[0022]可选的，该加热盘结构还包括设于所述底盘200的接气阀600，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热盘结构，其特征在于，包括：基座，开设有通气孔；底盘，设于所述基座，所述底盘设有与所述通气孔导通的接气孔，所述底盘远离所述基座的表面设有气流通道，所述气流通道与所述接气孔导通；驱动器，具有旋转部和伸缩部，所述旋转部可旋转的设于所述底盘，所述旋转部可带动所述伸缩部旋转；顶盘，盖合所述底盘形成气腔，所述顶盘对应所述气流通道设有若干排气孔；遮挡杆，设于所述气腔内与所述伸缩部连接，所述遮挡杆可遮挡部分所述排气孔。2.根据权利要求1所述的加热盘结构，其特征在于，还包括设于所述底盘的接气阀，所述接气阀为环形，所述接气阀具有输入孔和若干输出孔，所述输入孔与若干所述输出孔均导通，若干所述输出孔间隔设于所述接气阀的侧壁，所述输入孔与所述接气孔导通。3.根据权利要求2所述的加热盘结构，其特征在于，所述气流通道包括若干直线形凹槽和若干环形凹槽；若...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋征，叶五毛，陈雪，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：