基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板处理方法，抑制堆积物向基板处理装置的处理室内的附着。具有：具有支撑基板的基板支撑区域的基板支撑工具；设置于基板支撑区域的下部的绝热部；以及收纳基板支撑工具以及绝热部的筒状的反应容器，反应容器具备：预备室，其朝向径向外侧突出，以至少从比绝热部的上端靠下方的位置延伸至与基板支撑区域对置的位置的方式设置；以及第一罩，其在预备室的内侧沿与预备室的延伸方向垂直的面方向设置，以划分预备室内的空间的方式形成。以划分预备室内的空间的方式形成。以划分预备室内的空间的方式形成。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板处理方法


[0001]本专利技术涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板处理方法。

技术介绍

[0002]作为半导体装置(设备)的制造工序的一工序，有时进行在收纳于基板处理装置的处理室内的基板上形成膜的成膜处理(例如参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献1：日本特开2018
‑
166142号公报
[0005]在作为半导体设备的制造工序的一工序例如使用处理气体进行成膜处理的情况下，由于向反应容器内供给的处理气体，有时堆积物附着在反应容器内。处理室内的堆积物成为产生粒子的主要原因，因此，要求抑制堆积物附着在反应容器内。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于，在使用了基板处理装置的基板处理中，提供抑制堆积物附着在反应容器内的技术。
[0007]根据本专利技术的一方案提供一种技术，具有：具有支撑基板的基板支撑区域的基板支撑工具；设置于上述基板支撑区域的下部的绝热部；以及收纳上述基板支撑工具以及上述绝热部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：具有支撑基板的基板支撑区域的基板支撑工具；设置于上述基板支撑区域的下部的绝热部；以及收纳上述基板支撑工具以及上述绝热部的筒状的反应容器，上述反应容器具备：预备室，其朝向径向外侧突出，以至少从比上述绝热部的上端靠下方的位置延伸至与上述基板支撑区域对置的位置的方式设置；以及第一罩，其在上述预备室的内侧沿与上述预备室的延伸方向垂直的面方向设置，以划分上述预备室内的空间的方式形成。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一罩设置于与上述绝热部的上端相同的高度。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一罩设置于比上述绝热部的上端靠上方。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具备加热部，该加热部设置于与上述基板支撑区域对置的位置，构成为加热在上述基板支撑区域中被支撑的上述基板，上述第一罩设置于比上述加热部的下端靠上方。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述预备室的内壁形成有与上述第一罩卡合且与上述预备室的延伸方向垂直的槽。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一罩以在与上述绝热部的外缘之间形成沿该外缘的第一间隙的方式设置。7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一罩以在与上述绝热部的上端处的外缘之间形成上述第一间隙的方式设置。8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一间隙的宽度与形成于上述反应容器的内壁与上述绝热部的外缘之间的第二间隙的宽度实质上相同。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一罩由以外缘沿上述预备室的内壁接触的方式设置的第一外周板和与上述第一外周板至少一部分重合且外缘沿上述绝热部的外缘设置的第一内周板构成。10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述预备室内设置有气体供给喷嘴。11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备第二罩，该第二罩沿上述预备室的延伸方向设置，设置为从上述第一罩的与上述绝热部对置的外缘部以覆盖上述预备室的开口的方式向下方延伸。12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，在上述预备室的内侧的上述第二罩的下端位置还具备沿与上述预备室的延伸方向垂直的面方向设置的第三罩。13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三罩由以外缘沿上述预备室的内壁接触的方式设置的第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎裕久，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：