基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够降低堆积于旋转工作台的背面的堆积物的量。该基板处理装置具有：处理室，其设有对基板进行处理的多个处理区域；旋转工作台，其使载置于处理室内的基板通过以基板外的某点为中心旋转而依次通过多个处理区域；以及旋转机构，其使旋转工作台旋转，多个处理区域具有对基板供给处理气体的第一区域和对基板供给惰性气体的第二区域，以对应于第二区域的旋转工作台的下侧空间的压力比对应于第一区域的旋转工作台的下侧空间的压力高的方式构成有对应于第二区域的旋转工作台的下侧空间。台的下侧空间。台的下侧空间。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质


[0001]本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质。

技术介绍

[0002]作为对半导体基板进行处理的装置，已知一种旋转型装置，其将多个基板沿周向配置于基板载置台上，使该基板载置台旋转并向多个基板供给多种气体(参照专利文献1)。另外，已知一种立式装置，在积载有多个基板的状态下，使用在基板的积载方向上延伸的原料气体喷嘴向多个基板供给原料气体(参照专利文献2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
34013号公报
[0006]专利文献2：日本特开2017
‑
147262号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]在上述的旋转型装置中，存在如下情况，即，前驱体进入旋转并搬送多个基板的旋转工作台的背面，由此会与反应物混合，且堆积物堆积于旋转工作台的背面，产生颗粒。
[0009]本公开解决上述课题，提供一种降本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理室，其设有对基板进行处理的多个处理区域；旋转工作台，其使载置于上述处理室内的上述基板通过以上述基板外的某点为中心旋转而依次通过上述多个处理区域；以及旋转机构，其使上述旋转工作台旋转，上述多个处理区域具有对上述基板供给处理气体的第一区域和对上述基板供给惰性气体的第二区域，以对应于上述第二区域的上述旋转工作台的下侧空间的压力比对应于上述第一区域的上述旋转工作台的下侧空间的压力高的方式构成有对应于上述第二区域的上述旋转工作台的下侧空间。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在与上述第二区域对应的上述旋转工作台的下侧空间具有供给惰性气体的惰性气体供给部。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为沿与上述旋转工作台的旋转方向相反的方向供给惰性气体。4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部具有向与上述旋转工作台的旋转方向相反的方向开口的惰性气体供给孔。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部具有向与上述旋转工作台的旋转方向相反的方向开口的惰性气体供给孔。6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为使向上述旋转工作台背面的外周侧供给的惰性气体的流量和向上述旋转工作台背面的中心侧供给的惰性气体的流量不同。7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为使向上述旋转工作台背面的外周侧供给的惰性气体的流量和向上述旋转工作台背面的中心侧供给的惰性气体的流量不同。8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为使向上述旋转工作台背面的外周侧供给的惰性气体的流量和向上述旋转工作台背面的中心侧供给的惰性气体的流量不同。9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为使向上述旋转工作台背面的外周侧供给的惰性气体的流量比向上述旋转工作台背面的中心侧供给的惰性气体的流量多。10.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为使向上述旋转工作台背面的外周侧供给的惰性气体的流量比向上述旋转工作台背面的中心侧供给的惰性气体的流量多。11.根据权利要求4所述的基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：大桥直史，菊池俊之，高崎唯史，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：