一种用于CVD设备的晶圆沉积加工方法技术

本发明专利技术涉及CVD设备加工技术领域，具体涉及一种用于CVD设备的晶圆沉积加工方法，包括：在CVD反应室内设置预热位置；沉积加工之前，在CVD反应室的预热位置对晶圆进行预热；预热完成之后，将晶圆放置于加工机台上进行沉积加工。本发明专利技术的晶圆沉积加工方法能够降低晶圆CVD沉积加工时破片率，从而能够辅助提高CVD设备的利用率。备的利用率。备的利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于CVD设备的晶圆沉积加工方法


[0001]本专利技术涉及CVD设备加工
，具体涉及一种用于CVD设备的晶圆沉积加工方法。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。沉积加工时，把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入CVD反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。CVD技术的淀积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。
[0003]实际应用时，一般使用CVD设备进行晶圆的沉积加工，晶圆在CVD反应室中的化学气相沉积反应是很复杂的。例如公开号为CN102953042A的中国专利公开了《一种CVD机台的晶圆传送系统和晶圆传送方法》，其方法包括：淀积腔体，用于收容晶圆以进行化学气相沉积；传送臂，用于将晶圆传送到淀积腔体；还包括：光信号发生器，安装在传送臂上，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于CVD设备的晶圆沉积加工方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在CVD反应室内设置预热位置；S2：沉积加工之前，在CVD反应室的预热位置对晶圆进行预热；S3：预热完成之后，将晶圆放置于加工机台上进行沉积加工。2.如权利要求1所述的用于CVD设备的晶圆沉积加工方法，其特征在于：步骤S1中，预热位置设置于加工机台的上方。3.如权利要求1所述的用于CVD设备的晶圆沉积加工方法，其特征在于：加工机台上开设有竖向贯通的安装通道，安装通道内设置有与其内壁滑动配合的支撑柱，安装通道的下方设置有升降端与支撑柱底端抵接的升降机构；步骤S2中，进行预热之前，控制升降机构的升降端向上顶升，使得支撑柱向上滑动至其顶端到达预热位置；然后将晶圆放置于支撑柱的顶端进行预热；步骤S3中，预热完...

【专利技术属性】
技术研发人员：王巧，罗林，邹平，刘涵，
申请(专利权)人：重庆忽米网络科技有限公司，
类型：发明
国别省市：