多功能晶圆预处理腔及化学气相沉积设备制造技术

本发明专利技术提供一种多功能晶圆预处理腔及化学气相沉积设备。预处理腔包括腔体、晶圆承载装置、预热装置、导热装置、冷却装置、第一驱动装置、第二驱动装置及控制器；晶圆承载装置包括承载盘及若干个支撑销；导热装置位于预热装置下方，且位于晶圆正上方，包括导热盘及隔热涂层，导热盘上间隔分布有多个导热孔；预热装置包括灯盘及两个以上加热灯，灯盘包括盘面部和遮挡部，加热灯固定于盘面部的下表面；冷却装置包括冷却管，位于承载盘内，与冷却源相连通；控制器与第一驱动装置和第二驱动装置相连接；当处于预热模式时，支撑销升起以支撑晶圆，预热装置启动；当处于冷却模式时，支撑销下降，晶圆放置于承载盘上。本发明专利技术有助于提高工艺效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
多功能晶圆预处理腔及化学气相沉积设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种多功能晶圆预处理腔及化学气相沉积设备。

技术介绍

[0002]芯片制备通常需要经过多次的薄膜沉积、光刻胶涂布、曝光显影、刻蚀、离子注入等工艺阶段。这其中，有些工艺阶段需在高于200℃的高温下进行，比如像化学气相沉积工艺的温度可能高达400
‑
500℃。化学气相沉积过程中，晶圆在工艺腔室内，在极短的时间内被升温至400
‑
500℃，而通常晶圆的中心比边缘受热快，因此会造成晶圆的不规则翘边（warpage），随着沉积过程的持续进行，薄膜厚度逐渐增加，翘边区域因膜厚不同产生重量偏边分布，会造成晶圆滑动，进而造成机械手臂取片故障等问题，因此晶圆在进入反应腔之前进行预热十分重要。
[0003]现有的晶圆加热或预热装置多采用通过加热基座对放置于其表面的晶圆进行加热（即加热基座对晶圆的下表面进行加热）的方式。这种加热方式升温较快，能缩短加热时间，但造价昂贵、功耗较高，而实际上，现有的工艺中，预热阶段通常不要求立即升温，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多功能晶圆预处理腔，其特征在于，包括：腔体、晶圆承载装置、预热装置、导热装置、冷却装置、第一驱动装置、第二驱动装置及控制器；所述腔体上设置有闸门；晶圆承载装置位于所述腔体内，包括承载盘及若干个支撑销，所述承载盘上设置有若干个容纳孔，若干个所述支撑销一一对应设置于所述容纳孔内，所述第一驱动装置与若干个所述支撑销相连接；所述导热装置位于所述预热装置下方，且位于待处理的晶圆正上方，所述导热装置包括导热盘及隔热涂层，所述导热盘的尺寸和晶圆一致，所述导热盘上间隔分布有多个导热孔，所述导热孔上下贯穿所述导热盘，所述隔热涂层覆盖所述导热盘除所述导热孔外的表面；所述预热装置包括灯盘及两个以上加热灯，所述灯盘包括盘面部和遮挡部，所述加热灯固定于所述盘面部的下表面，所述遮挡部一端与所述盘面部的边缘相连接，另一端延伸至与所述导热盘的边缘相接触，所述第二驱动装置与所述灯盘相连接，用于驱动所述预热装置旋转；所述冷却装置包括冷却管，位于所述承载盘内，所述冷却装置与冷却源相连通；所述控制器与所述第一驱动装置和第二驱动装置相连接；当所述多功能晶圆预处理腔处于预热模式时，所述第一驱动装置在所述控制器的控制下，驱动所述支撑销升起以支撑晶圆，所述预热装置启动，所述加热灯发出的光仅能通过所述导热孔到达晶圆表面以对晶圆进行加热；当所述多功能晶圆预处理腔处于冷却模式时，所述第一驱动装置在所述控制器的控制下，驱动所述支撑销下降，晶圆放置于所述承载盘上，所述冷却装置启动。2.根据权利要求1所述的多功能晶圆预处理腔，其特征在于，所述灯盘朝向所述导热盘的表面和/或所述遮挡部与所述加热灯相邻的表面设置有反射隔热涂层。3.根据权利要求1所述的多功能晶圆预处理腔，其特征在于，所述闸门包括第一闸门和第二闸门，所述控制器与所述第一闸门和第二闸门相连接，当晶圆自所述第一闸门进入所述腔体内时，所述控...

【专利技术属性】
技术研发人员：封拥军，崔世甲，周东平，宋维聪，
申请(专利权)人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：