【技术实现步骤摘要】
可大幅度调节冷却能力的晶圆加热器
[0001]本专利技术涉及半导体芯片加工领域,尤其涉及可大幅度调节冷却能力的PECVD晶圆加热器。
技术介绍
[0002]随着半导体芯片技术的飞速发展,半导体代工行业竞争激烈,半导体生产设备面临多样式制程的挑战,原有设备需要进行更先进的制程,晶圆厂需要更低成本的竞争优势, 要使用现有设备满足多样化的客户制程需求,才能适应多样化竞争,在行业中保持领先。
[0003](PECVD)晶圆加热器是半导体芯片加工的关键设备,起承载吸附晶圆及提供加热的作用,随着射频工艺功率增加,晶圆加热器在工艺过程中会不断吸收热量,引起晶圆加热器温度不断上升,加热器本身的冷却效率无法有效调节,导致加热器达到稳定温度的时间延长,导致半导体芯片(IC)生产效率下降,严重影响产品质量,由于晶圆加热器温度无法保持稳定,造成工艺不稳定,报废难以预防,且昂贵的加热器也面临无法适应更高级的射频工艺,需要按不同的工艺进行复杂的加热器更换操作, 加热器的通用性差,成本居高不下,因此非常迫切需要找出改善方法来控制晶圆加热器的温度, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.可大幅度调节冷却能力的晶圆加热器,包括上板(1),其特征在于:所述上板(1)内孔顶面嵌设有铠装加热管(4),上板(1)中部设置有测温热电偶(6);所述上板(1)内孔里从上向下依次设置有盖板(5)、冷却板(2)和支撑轴(3);所述支撑轴(3)上轴肩A卡设在上板(1)下端,下轴肩B端面均匀设置有多个导向块(3
‑
4);所述冷却板(2)包括冷却管安装板(2
‑
5)和石墨匀热层上盖(2
‑
6),所述冷却管安装板(2
‑
5)内设置有冷却管路(2
‑
1),冷却管安装板(2
‑
5)顶面向上依次设置有石墨匀热层下盖(2
‑
7)、石墨匀热层(2
‑
2)、石墨匀热层上盖(2
‑
6);所述所述冷却管安装板(2
‑
5)底部均布有多个调节螺栓(2
‑
3);所述调节螺栓(2
‑
3)向下穿过支撑轴(3)内孔和导向块(3
‑
4)卡槽,所述多个调节螺栓(2
‑
3)由固定块(2
‑
4)固定。2.根据权利要求1所述的可大幅度调节冷却能力的晶圆加热器,其特征在于:所述上板(1)顶面均布有多个小凸台(1
‑
2)和匀气沟槽(1
‑
6),所述上板(1)底面设置有内孔(1
‑
8),内孔(1
‑
8)顶面设置有铠装加热管(4)的安装沟槽(1
‑
5),内孔(1
‑
8)口面设置有安装支撑轴(3)的阶梯孔,所述上板(1)内孔顶面向下延伸有多个立柱(1
‑
7),所述立柱(1
‑
7)内设置有顶针孔(1
‑
4),顶针孔(1
‑
技术研发人员:游利,贾坤良,
申请(专利权)人:靖江先锋半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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