具有用于局部影响基座温度的器件的CVD反应器制造技术

本发明专利技术涉及一种用于对基材进行热处理的设备和方法，设备具有可由加热装置(13)加热的和可由转动驱动器(20)围绕转动轴线(A)转动驱动的用于容纳至少一个基材的基座(5)。为了补偿转动的基座(5)上的局部的温度差异，设置有器件(14、14

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有用于局部影响基座温度的器件的CVD反应器


[0001]本专利技术涉及一种用于对基材进行热处理的设备，其具有可由加热装置加热的和可由转动驱动器围绕转动轴线转动驱动的、用于容纳至少一个基材的基座。
[0002]本专利技术还涉及一种用于对基材进行热处理的方法，在该方法中，基座承载至少一个基材，由加热装置加热，并且围绕转动轴线被转动驱动。

技术介绍

[0003]文献US 8,249,436 B2描述了一种设备和一种方法，其中，借助脉冲式的激光射束向围绕转动轴线旋转的基座局部受限地导入热量。
[0004]前述的类型的设备和方法也是已知的，例如由文献DE 10 2009 044 276 A1已知。前述的类型的设备由CVD反应器体现，该CVD反应器具有气密性的壳体，过程室位于该壳体中。过程室的底部由可围绕转动轴线被转动驱动的基座构造。在基座上存在围绕中心的进气机构均匀地周向分布的多个基材支架，基材支架分别承载基材，并且在冲洗气流的转动驱动下保持悬浮。基座在加热装置上方转动，所述加热装置是由冷却剂冷却的感应线圈。通过第一高温计测量基座的底侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于对基材进行热处理的设备，所述设备具有可由加热装置(13)加热的和可由转动驱动器(20)围绕基座转动轴线(A)转动驱动的基座(5)，所述基座具有用于容纳至少一个基材的基材支架(7)，所述设备具有器件(14、14
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)，所述器件用于局部限制基座(5)的温度，并且与基座(5)的转动运动同步化地影响所述基座的温度，其特征在于，所述器件以脉冲方式周期性地改变布置在基座(5)和调温机组之间的介质的导热特性。2.一种用于对基材进行热处理的方法，其中，基座(5)承载至少一个基材，由加热装置(13)加热，并且围绕转动轴线(A)被转动驱动，其中，在局部受限的部位上，所述基座(5)的温度与转动运动同步化地被影响，其特征在于，布置在基座(5)和调温机组之间的介质的导热特性局部并且以脉冲方式周期性改变。3.一种用于对基材进行热处理的设备，所述设备具有可由加热装置(13)加热的和可由转动驱动器(20)围绕基座转动轴线(A)转动驱动的基座(5)，所述基座承载至少一个相对于基座转动轴线(A)偏心布置的围绕基材支架转动轴线(B)可转动的、用于容纳至少一个基材的基材支架(7)，所述设备具有器件(14、14
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)，所述器件用于在热影响区(17)的范围内影响布置在基座(5)和调温机组之间的介质的导热特性，其特征在于，所述热影响区(17)是相对于基座转动轴线(A)在基材支架转动轴线(B)围绕基座转动轴线(A)的旋转轨迹的径向内部或径向外部或旋转轨迹上布置的区域。4.一种用于对基材进行热处理的方法，其中，基座(5)围绕基座转动轴线(A)被转动驱动，并且承载至少一个相对于基座转动轴线(A)偏心布置的基材支架(7)，所述基材支架围绕基材支架转动轴线(B)转动并且承载至少一个基材，其中，在热影响区(17)的范围内利用器件(14、14
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)影响布置在基座(5)和调温机组之间的介质的导热特性，其特征在于，所述热影响区(17)是相对于基座转动轴线(A)在基材支架转动轴线(B)围绕基座转动轴线(A)的旋转轨迹的径向内部或径向外部或旋转轨迹上布置的区域。5.根据权利要求1或3所述的设备或根据权利要求2或4所述的方法，其特征在于，随着基座(5)的循环时间周期性地在小于基座(5)的循环时间的时间内，或者在大于基座(5)的循环时间的时间内，在位置受限的热影响区(17)中与在基座(5)的与之相邻的区域中相比为基座(5)导入或从基座导出更多的热量，或为此设置器件。6.根据前述权利要求中任一项所述的设备或方法，其特征在于，所述调温机组是冷却机组(30)，和/或所述冷却机组由RF感应线圈(13)的冷却通道形成，其中，利用所述RF感应线圈(13)产生电磁交变场，所述电磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：PS劳弗，
申请(专利权)人：艾克斯特朗欧洲公司，
类型：发明
国别省市：