一种基片加热结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基片加热结构。本实用新型专利技术一实施例中，基片加热结构可以包括：包括托盘、上加热板和下加热板。其中，托盘能活动设置于所述上加热板和所述下加热板之间，用于承载基片；上加热板，其朝向所述托盘的一面为发热面；所述发热面的至少部分周边装有压条，压条用于在所述上加热板与所述托盘的边缘接触时间隔开所述发热面与托盘；下加热板，上表层开设凹槽，凹槽的形状和大小与托盘的底部相适，用于放置托盘。本实用新型专利技术提供的基片加热结构，能够确保托盘四周均匀受热，从而有效提升基片镀膜质量。升基片镀膜质量。升基片镀膜质量。

A substrate heating structure

【技术实现步骤摘要】
一种基片加热结构


[0001]本技术涉及加热
，尤其涉及一种基片加热结构。

技术介绍

[0002]等离子体增强化学气相沉积法(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，利用等离子体化学活性强、容易发生反应的特性，在基片上沉积出所期望的薄膜。
[0003]目前，PECVD工艺的所有流程均在真空腔室内部进行，使用PECVD工艺在基片上镀膜时，基片的温度是影响最终镀膜效果的因素之一。当进行大批量基片镀膜时，会将一定数量的基片均匀摆放着托盘(也可称为载板)上，将托盘放置在加热板上，通过热传递来加热基片。然而，因基片加热过程中托盘在加热板上无法固定，故而常出现托盘受热不均而四周翘起的情况，这导致后期镀膜时托盘四周的基片镀膜不均匀，从而严重影响薄膜质量。

技术实现思路

[0004]为了部分地或全部地解决上述技术问题，本技术期望提供一种新的基片加热结构，能够确保托盘受热均匀，有效避免托盘四周翘起的情况，从而有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片加热结构，其特征在于，包括托盘、上加热板和下加热板，其中：所述托盘，能活动设置于所述上加热板和所述下加热板之间，用于承载基片；所述上加热板，其朝向所述托盘的一面为发热面；所述发热面的至少部分周边装有压条，所述压条用于在所述上加热板与所述托盘的边缘接触时间隔开所述发热面与所述托盘；所述下加热板，上表层开设凹槽，所述凹槽的形状和大小与所述托盘的底部相适，用于放置所述托盘。2.根据权利要求1所述的基片加热结构，其特征在于，所述发热面的四周相对于所述发热面呈凹入状。3.根据权利要求2所述的基片加热结构，其特征在于，所述压条的厚度大于所述发热面的四周相对于所述发热面的凹入深度。4.根据权利要求1所述的基片加热结构，其特征在于，所述托盘的边缘设有边框；在所述基片的加热过程中，所述压条与所述托盘的边框接触。5.根据权利要求1所述的基片加热结构，其特征在于，所述基片加热结构还包括弹性固定件，所述弹性固定件设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业有限合伙，
类型：新型
国别省市：