硅基异质结电池的制备方法及硅基异质结电池技术

本发明专利技术公开一种硅基异质结电池的制备方法及硅基异质结电池，包括硅基片以及在所述硅基片的两侧分别设置的半导体层、导电层以及栅线，所述半导体层分别设置于所述硅基片的两侧，所述导电层设置于所述半导体层的外侧，所述栅线设置在所述导电层的外侧，其中栅线采用铜线以及覆盖在铜线上的导电胶组成。该技术方案通过将印刷银电极更改为铜线电极，从而降低硅基异质结电池的成本。硅基异质结电池的成本。硅基异质结电池的成本。

【技术实现步骤摘要】
硅基异质结电池的制备方法及硅基异质结电池


[0001]本专利技术属于太阳能电池制造
，具体涉及一种硅基异质结电池的制备方法及硅基异质结电池。

技术介绍

[0002]异质结电池是以硅基为衬底制备半导体层，基于光生伏特效应，将光能转换为电能的半导体器件，其P
‑
N结是由非晶硅(a
‑
Si)和晶体硅(c
‑
Si)材料形成的。异质结电池转换效率高，工艺简单、步骤较少，是最有潜力的下一代异质结电池技术。常规异质结电池，通常是采用丝网印刷的方式将低温银浆印刷到导电层表面，形成收集电流的栅线，然后再烘干固化银浆。
[0003]现有的异质结电池的栅线采用印刷低温银浆的方式，一般每片电池需要消耗0.3～0.5g的低温银浆，由于银是贵金属，低温银浆的成本很难下降，这是导致异质结电池的成本一直很高的主要原因。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的是提出一种硅基异质结电池的制备方法及硅基异质结电池，旨在解决异质结电池成本较高的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提出的硅基异质结电池的制备方法，包括：在硅基片的两侧分别形成半导体层、导电层以及栅线的步骤，其特征在于，形成栅线的步骤包括：
[0006]将表面覆盖有导电胶的铜线粘结于任一所述导电层的表面；
[0007]对粘结于所述导电层表面的所述铜线进行烘干处理；
[0008]将表面覆盖有导电胶的铜线粘结于另一所述导电层的表面；
[0009]对粘结于另一所述导电层表面的所述铜线进行烘干处理；
[0010]其中所述铜线表面设有至少一个拉胶槽，在粘结时所述拉胶槽位于所述铜线表面与所述导电层粘结的弧面上。
[0011]优选地，表面覆盖有导电胶的铜线的制备方法为：将所述铜线放置在装有液态的所述导电胶的容器中，使得所述铜线的表面及所述拉胶槽内充满所述导电胶。
[0012]优选地，所述铜线平行且等间距地粘结于所述导电层的表面。
[0013]优选地，相邻两所述铜线之间的距离为0.5
‑
2mm。
[0014]优选地，所述铜线的直径为30
‑
50μm。
[0015]优选地，所述导电胶为各向同性导电胶。
[0016]优选地，所述烘干处理的时间为30
‑
180秒。
[0017]优选地，所述铜线设有三个所述拉胶槽，三个所述拉胶槽均设于所述铜线表面与所述导电层粘结的弧面上。
[0018]优选地，所述将表面覆盖有导电胶的铜线粘结于所述导电层的表面的制备过程在恒温条件下进行，恒温温度为100
‑
150℃。
[0019]本专利技术还提出一种硅基异质结电池，包括硅基片以及在所述硅基片的两侧分别设置的半导体层、导电层以及多根栅线，所述半导体层分别设置于所述硅基片的两侧，所述导电层设置于所述半导体层的外侧，所述栅线设置在所述导电层的外侧，其特征在于，所述栅线采用覆盖有导电胶的铜线制成，所述铜线的表面设有至少一个拉胶槽，所述拉胶槽设于所述铜线表面与所述导电层粘结的弧面上。
[0020]优选地，多根所述栅线平行且等间距的设在所述导电层的外侧。
[0021]优选地，所述硅基异质结电池的入光面的栅线为50
‑
120根，所述硅基异质结电池的背光面的栅线为70
‑
250根。
[0022]相比现有技术，本申请的有益效果包括但不限于：
[0023]1)本申请提供的硅基异质结电池的制备方法，采用直径30
‑
50μm铜线(或者说铜丝)，在其表面覆盖导电胶后，将其粘结到硅基异质结电池的导电层表面，以此代替低温银浆印刷栅线，由于铜线的成本相对银较低，可大幅降低异质结电池的成本；
[0024]2)本专利技术提供的硅基异质结电池的制备方法步骤较少，工艺简单，制备过程使用的设备较少，从而进一步降低硅基异质结电池的生产成本。
附图说明
[0025]图1为本专利技术硅基异质结电池一实施例的结构示意图；
[0026]图2为图1中的硅基异质结电池的铜线的结构示意图；
[0027]图3为图1中的硅基异质结电池的铜线的截面图；
[0028]图4为本专利技术硅基异质结电池的制备方法一实施例的步骤图；
[0029]图5为本专利技术硅基异质结电池的制备方法另一实施例的步骤图；
[0030]图6为本专利技术硅基异质结电池的制备方法又一实施例的步骤图。
[0031]附图标号说明：
[0032]标号名称标号名称100硅基片110半导体层120导电层130入光面140背光面200铜线210拉胶槽220导电胶
具体实施方式
[0033]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0035]另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技
术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0036]以下的实施例便于更好地理解本申请，但并不限定本申请。
[0037]下述实施例中的实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。
[0038]下述实施例中所用的试验材料，如无特殊说明，均为市场购买得到的。导电胶为各向同性导电胶；铜线直径为40μm。
[0039]实施例1
[0040]本实施例提供一种硅基异质结电池的制备方法，以代替常规硅基异质结电池生产流程中的低温银浆印刷栅线。
[0041]该硅基异质结电池的制备方法包括在硅基片的两侧分别形成半导体层、导电层以及栅线的步骤，如图4所示，形成栅线的具体步骤如下：
[0042]步骤S100：将表面覆盖有导电胶的铜线粘结于任一所述导电层的表面。
[0043]硅基异质结电池在形成半导体层和导电层后，具有两个导电层分别为入光面和背光面，在本步骤中，将表面覆盖有导电胶的铜线粘结于入光面或者背光面，即两导电层中的任意一个均可。
[0044]步骤S200：对粘结于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基异质结电池的制备方法，包括在硅基片的两侧分别形成半导体层、导电层以及栅线的步骤，其特征在于，形成所述栅线的步骤包括：将表面覆盖有导电胶的铜线粘结于任一所述导电层的表面；对粘结于所述导电层表面的所述铜线进行烘干处理；将表面覆盖有导电胶的铜线粘结于另一所述导电层的表面；对粘结于另一所述导电层表面的所述铜线进行烘干处理；其中所述铜线表面设有至少一个拉胶槽，在粘结时所述拉胶槽位于所述铜线表面与所述导电层粘结的弧面上。2.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于，表面覆盖有导电胶的铜线的制备方法为：将所述铜线放置在装有液态的所述导电胶的容器中，使得所述铜线的表面及所述拉胶槽内充满所述导电胶。3.根据权利要求2所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于，所述将表面覆盖有导电胶的铜线粘结于所述导电层的表面的制备过程在恒温条件下进行，恒温温度为100
‑
150℃。4.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于，所述铜线设有三个所述拉胶槽，三个所述拉胶槽均设于所述铜线表面与所述导电层粘结的弧面上。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于，所述铜线平行且等间距地粘结于所述导电层的表面。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业有限合伙，
类型：发明
国别省市：