一种铸锭单晶或多晶非晶硅异质结太阳电池的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种以铸锭单晶或多晶为衬底的非晶硅异质结太阳电池片的制作方法，它包括以下步骤：1)将铸锭单晶(或多晶)硅片进行单面抛光制绒；2)在制绒面上形成第一钝化层；3)在第一钝化层上形成本征多晶硅层；4)硅片两面进行磷扩散处理；5)去除扩散层；6)在去除扩散层后的一面形成第二钝化层；7)在硅片两面沉积透明导电膜层；8)在硅片的正反面上形成金属电极。本发明专利技术中用薄氧化层叠加多晶掺磷层取代传统的非晶硅本征层和掺磷层，用多晶硅薄膜取代非晶硅薄膜，降低材料的吸光系数，同时提高背电场的导电性，有利于提高电池的短路电流和填充因子。充因子。充因子。

【技术实现步骤摘要】
一种铸锭单晶或多晶非晶硅异质结太阳电池的制作方法


[0001]本专利技术属于太阳电池领域，具体涉及一种以铸锭单晶或多晶为衬底的非晶硅异质结太阳电池片的制作方法。

技术介绍

[0002]近年来，太阳能作为取之不尽，用之不竭的清洁能源，越来越受各国的青睐。太阳电池的研发与制作，主要围绕着降本增效方向展开，提高太阳电池的转换效率是发展太阳能事业的根本，降低太阳电池的制作成本是壮大太阳能事业的基础，是满足大规模生产的先决条件。
[0003]硅片是生产硅基太阳电池片所用的载体，一般分为单晶硅片、类单晶硅片和多晶硅片。采用低成本的硅片材料是降低太阳电池制造成本的有效方式之一。在高效异质结太阳电池制作中，采用以铸锭单晶或多晶为衬底太阳能硅片来取代传统单晶硅片，有利降低生产生产，提高企业竞争力。
[0004]铸锭单是近年来新开发的定向铸造技术，其利用置于坩埚底部的仔晶进行定向生长，铸造出类似于单晶的硅锭。相对于传统的单晶硅片，类单晶硅具有制造成本低，铸锭硅片尺寸灵活，电阻率分布窄，氧含量低等优势。
[0005]然而铸锭单晶，由于铸造工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铸锭单晶或多晶非晶硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于：它包括以下步骤：1)将铸锭单晶或多晶硅片进行单面抛光、制绒，织构化表面纹理；2)在铸锭单晶或多晶硅片的制绒面上，通过氧化形成第一钝化层；3)在所述第一钝化层上形成本征多晶硅层；4)将铸锭单晶或多晶硅片的两面进行磷扩散处理；其中，第一钝化层上的本征多晶硅层，在磷扩散处理过程中形成N型多晶硅层；5)去除带有N型多晶硅层的铸锭单晶或多晶硅片的另一面的PSG层及磷在体硅中的扩散层；6)在去除所述扩散层后的一面形成第二钝化层，并在所述第二钝化层上形成P型非晶硅或者微晶层；7)在经步骤6)后的铸锭单晶或多晶硅片两面沉积透明导电膜层；8)在经步骤7)后的铸锭单晶或多晶硅片的正反面上形成金属电极，即完成铸锭单晶或多晶非晶硅异质结太阳电池的制作。2.根据权利要求1所述的铸锭单晶或多晶非晶硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤2)中形成的第一钝化层的厚度控制在3.根据权利要求1所述的铸锭单晶或多晶非晶硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤3)中形成的本征多晶硅层的厚度控制在4.根据权利要求1所述的铸锭单晶或多晶非晶硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤3)中本征多晶硅层通过PECVD或LPCVD形成。5.根据权利要求1所述的铸...

【专利技术属性】
技术研发人员：许志，
申请(专利权)人：福建新峰二维材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：