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本发明涉及一种以铸锭单晶或多晶为衬底的非晶硅异质结太阳电池片的制作方法，它包括以下步骤：1)将铸锭单晶(或多晶)硅片进行单面抛光制绒；2)在制绒面上形成第一钝化层；3)在第一钝化层上形成本征多晶硅层；4)硅片两面进行磷扩散处理；5)去除扩散...
该专利属于福建新峰二维材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建新峰二维材料科技有限公司授权不得商用。

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