一种镀膜装置制造方法及图纸

一种镀膜装置，将进料室接驳在上料位的一侧，进料隔离室接驳在进料室的一侧，进料侧镀膜腔室接驳在进料隔离室的一侧；中间侧镀膜腔室一端与进料侧镀膜腔室接驳，中间侧镀膜腔室另外一端与出料侧镀膜腔室接驳，进料侧镀膜腔室、中间侧镀膜腔室和出料侧镀膜腔室之间呈C型排列；出料隔离室与接驳在出料侧镀膜腔室一侧，出料室接驳在出料隔离室一侧，下料位接驳在出料室一侧；上料位、进料室、进料隔离室、进料侧镀膜腔室、中间侧镀膜腔室、出料侧镀膜腔室、出料隔离室、出料室、下料位和缓存室之间呈O型排列。本技术方案有效缩短自动线长度，减少托盘在大气中传输时间，有效减少载板对水汽的吸附。吸附。吸附。

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜装置


[0001]本技术涉及一种镀膜装置，具体涉及一种镀膜装置。

技术介绍

[0002]PVD指物理气相沉积技术，是一种常用的镀膜技术，广泛应用于半导体、液晶面板、光伏等行业。其原理是通过等离子体将氩气原子(Ar)电离，形成带正电荷的氩离子，该氩离子在电场作用下，加速撞击靶材表面，靶原子组分受撞击后，脱离靶材并沉积到目标基板表面，形成连续而致密的薄膜。
[0003]参见图1，现有的PVD镀膜设备，载板在上料位装载待镀膜产品后，进入PVD镀膜设备进行镀膜，该载板在PVD镀膜设备中，依次经过进料室、隔离室、镀膜腔室、隔离室、出料室完成产品镀膜过程。载板在下料位完成已镀膜产品卸载后，经回流自动线回到上料位继续上料，现有技术主要存在以下缺陷：
[0004]载板经多次镀膜后，在无硅片遮盖区域形成膜层积累；膜层及载板表面，容易吸收环境中的水汽，该水汽在镀膜过程中缓慢释放，影响电池效率和工艺稳定性；
[0005]采用在进料室及进料侧隔离室中进行加热的方式，去除载板所携带的水汽，耗能高，加热不均匀，时间长等缺陷；且载板在回流自动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜装置，包括上料位(1)、进料室(2)、进料隔离室(3)、镀膜腔室、出料隔离室(7)、出料室(8)和下料位(9)，其特征在于，还包括缓存室(10)，所述镀膜腔室包括进料侧镀膜腔室(4)、中间侧镀膜腔室(5)和出料侧镀膜腔室(6)；所述进料室(2)接驳在所述上料位(1)的一侧，所述进料隔离室(3)接驳在所述进料室(2)的一侧，所述进料侧镀膜腔室(4)接驳在所述进料隔离室(3)的一侧；所述中间侧镀膜腔室(5)一端与所述进料侧镀膜腔室(4)接驳，中间侧镀膜腔室(5)另外一端与所述出料侧镀膜腔室(6)接驳，进料侧镀膜腔室(4)、中间侧镀膜腔室(5)和出料侧镀膜腔室(6)之间呈C型排列；所述出料隔离室(7)与接驳在所述出料侧镀膜腔室(6)一侧，所述出料室(8)接驳在所述出料隔离室(7)一侧，所述下料位(9)接驳在所述出料室(8)一侧；所述上料位(1)、进料室(2)、进料隔离室(3)、进料侧镀膜腔室(4)、中间侧镀膜腔室(5)、出料侧镀膜腔室(6)、出料隔离室(7)、出料室(8)、下料位(9)和缓存室(10)之间呈O型排列。2.根据权利要求1所述的一种镀膜装置，其特征在于，所述进料室(2)包括进料真空腔体(13)、第一真空计(14)、第一质谱仪(15)、第一真空泵组(16)、第一微波发生器(17)、进料位载板(18)和进料位传动机构(19)；所述第一真空计(14)连接所述进料真空腔体(13)，第一真空计(14)用于监控进料室(2)的真空度；所述第一质谱仪(15)连接所述进料真空腔体(13)，第一质谱仪(15)用于检测监控进料室(2)内的水汽含量；所述第一真空泵组(16)连接所述进料真空腔体(13)，第一真空泵组(16)用于抽排进料真空腔体(13)内的气体；所述第一微波发生器(17)连接在所述进料真空腔体(13)的内部，第一微波发生器(17)用于产生并释放微波能量以进行进料室(2)水汽脱离；所述进料位传动机构(19)位于所述进料真空腔体(13)内底部，进料位载板(18)连接所述进料位传动机构(19)的上方，进料位载板(18)用于承载、转运待加工产品，进料位传动机构(19)用于对进料位载板(18)进行支撑传输。3.根据权利要求2所述的一种镀膜装置，其特征在于，所述第一真空泵组(16)采用罗茨泵和机械泵组合；所述进料位传动机构(19)采用滚轮轴承。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业有限合伙，
类型：新型
国别省市：