【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积反应腔
[0001]本技术涉及半导体化学气相沉积设备
,特别是涉及一种化学气相沉积反应腔。
技术介绍
[0002]化学气相沉积为一种在基板(晶圆)的反应面,形成薄膜的重要手段,其将基板固定在一反应腔中,对基板加热并使基板的反应面与反应气体接触而形成薄膜。在此制程中,若产生的粉尘若飘散于反应面,就会造成良率下降的问题,而影响生产质量。
[0003]其次,在高温低压的气相沉积制程中,基板的反应面与反应气体的接触是否均匀,基板的反应面的加热温度是精准与均匀,都会直接影响薄膜形成的质量。再者,基板置入反应腔后的定位方式也影响薄膜的行程质量,而薄膜形成后的取出方式是否便于通过自动化设备执行,也是影响基板的产能的主要因素。
技术实现思路
[0004]本技术的主要目的,在提供一种化学气相沉积反应腔,以供基板以反应面朝下的方式进行化学气相沉积反应,使基板获得良好均匀的加热效果,并能够进一步配合自动化生产作业,达到高产量能力的效果。为达此一目的,本技术化学气相沉积反应腔包含:一腔体;一上加热模块,设置在腔 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积反应腔,其特征在于,包含:一腔体;一上加热模块,设置在该腔体内的上部;一基板承载装置,设置在该腔体内对应于该上加热模块下方的位置,用于承载至少一基板并包含至少一碟盘、一下大盘以及一上大盘,该碟盘具有一上方开放的基板槽以供该基板以反应面朝下的方式置入,该基板槽下方设有一反应口以供该基板的反应面裸露,该下大盘具有至少一个上方开放的碟盘槽以供该碟盘置入,该碟盘槽下方设有一底口以供该反应面裸露,该上大盘遮盖于该下大盘的上方并将该碟盘槽上方封闭,该上大盘的半径大于该下大盘;一升降筒暨废气收集环,连接于该下大盘以支撑并带动该基板承载装置升降及旋转,并收集反应后的废气;一喷头,设置在该腔体内以释出反应气体;以及一止挡单元,设置在该腔体内壁,使得该上大盘的边沿于该升降筒暨废气收集环下降至预设高度时被该止挡单元拦阻而分离于该下大盘,待该升降筒暨废气收集环下降至最低位置时,该碟盘槽的上方以及该基板槽的上方呈现裸露状态;该腔体的侧壁设有至少一取放口,该升降筒暨废气收集环上升至最高位置时遮蔽该取放口,该升降筒暨废气收集环下降至最低位置时开放该取放口。2.如权利要求1所述的化学气相沉积反应腔,其特征在于,该碟盘槽设有...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴铭钦,刘峰,
申请(专利权)人:苏州雨竹机电有限公司,
类型:新型
国别省市:
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