加热装置和真空镀膜设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术的实施例提供了一种加热装置和真空镀膜设备，加热装置包括：加热腔体，其内适于传送待加热件；第一加热件，位于待加热件的上方和/或下方；以及至少两个第二加热件，位于待加热件的传送方向的两侧。从而有效降低待加热件端部与中心部位的温差，实现待加热件整体温度的均匀性，避免相关技术中为保证待加热件各个位置加热温度的均匀性，将底部加热管设置的较长以增大加热区域，导致加热装置尺寸增大，增加产品成本的问题，提高具有该加热装置的真空镀膜设备的实用性。的真空镀膜设备的实用性。的真空镀膜设备的实用性。

【技术实现步骤摘要】
加热装置和真空镀膜设备


[0001]本技术的实施例涉及等离子体增强化学气相沉积设备
，具体而言，涉及一种加热装置和一种真空镀膜设备。

技术介绍

[0002]目前，PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)设备，通过加热腔内的红外灯管对载板及硅片进行加热，使载板及硅片达到需要的温度，然后流转至下一工艺环节。
[0003]然而，由于红外灯管的边缘效应，同时加热腔的腔体侧壁与大气端存在对流换热，导致载板及硅片的边缘温度较低。相关技术中，将红外加热灯管的加热区域超出载板及硅片较多，依靠加长空间，实现温度均匀性，导致加热腔的腔体尺寸增加，增加产品的生产成本。

技术实现思路

[0004]本技术的实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0005]为此，本技术的实施例的第一方面提供了一种加热装置。
[0006]本技术的实施例的第二方面提供了一种真空镀膜设备。
[0007]公开号为CN 110656320 A的一件专利中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热装置，其特征在于，包括：加热腔体，其内适于传送待加热件；第一加热件，位于待加热件的上方和/或下方；以及至少两个第二加热件，位于所述待加热件的传送方向的两侧。2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述第一加热件包括多个平行排布的第一加热灯管；所述第一加热灯管垂直于所述待加热件的传送方向。3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述第二加热件包括：支撑件，设置于所述加热腔体的侧壁；第二加热管，位于所述支撑件上；以及所述第二加热管平行于所述待加热件的传送方向。4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，所述支撑件包括：支撑部，用于从底部支撑所述第二加热管；安装部，与所述支撑部连接，所述安装部用于固定所述第二加热管；垫块，所述垫块用于放置在所述安装部与所述第二加热管之间；其中，调整所述垫块的高度，以调节所述第二加热管的设置高度。5.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，所述第二加热件还包括：位于所述第二加热管和所述加热腔体侧壁之间的反射件；所述反射件包括：第一连接件，设置于所述加热腔体的侧壁上；反射板，安装在所述第一连...

【专利技术属性】
技术研发人员：左国军，梁建军，候岳明，朱海剑，
申请(专利权)人：常州捷佳创精密机械有限公司，
类型：新型
国别省市：