【技术实现步骤摘要】
陶瓷加热盘、制备方法和模具及化学气相沉积设备
[0001]本申请涉及半导体制造设备
，尤其涉及一种陶瓷加热盘及其制备方法和模具。
技术介绍
[0002]化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)设备是半导体芯片制作的关键设备，CVD设备的核心问题是如何保证材料生长的均匀性和重复性，芯片加热盘作为CVD设备中一个部件，其内含的电极和加热结构的制备方法会影响加热盘温度的均匀性，进而影响芯片生长过程中的均匀性和重复性。
[0003]现有的芯片加热盘基本上为陶瓷加热盘，从材料上来说，主要为氮化铝陶瓷加热盘和氧化铝陶瓷加热盘；从结构上来说，其包括加热盘体和陶瓷管，所述加热盘体和陶瓷管通过导热陶瓷浆料粘结烧结固定，所述加热盘体内设置有射频电极和加热部件，且二者皆连接有外部电极，如接地电极、正负电极等结构。如中国专利文献CN110230043A公开了一种如上述结构的陶瓷加热盘，在上述加热盘的生产过程中，所述加热盘体的烧结温度为1500
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1900℃，而加热盘体与陶瓷管粘结烧结
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷加热盘，其特征在于，包括：加热盘体，预压的多层加热盘体层经热压后形成所述加热盘体；射频电极，设置于第二盘体层内；加热部件，设置于第三盘体层内；陶瓷管，连接所述加热盘体；引出电极，数量为多个，穿过所述陶瓷管分别连接所述射频电极和加热部件；所述陶瓷加热盘由陶瓷原料粉、所述射频电极及所述加热部件分多次预压成型后和烧制好的陶瓷管一次热压成型。2.根据权利要求1所述陶瓷加热盘，其特征在于，所述加热部件包括上加热部件和下加热部件。3.根据权利要求1所述陶瓷加热盘，其特征在于，所述加热盘体上设置多个连接孔分别漏出所述射频电极以及所述加热部件的两极，多个所述引出电极的一端分别伸入所述连接孔与所述射频电极以及所述加热部件的两极连接。4.根据权利要求3所述陶瓷加热盘，其特征在于，所述射频电极连接有电极接头；所述加热部件的两极连接有正接头和负接头；所述连接孔漏出所述电极接头、所述正接头和所述负接头，分别与所述引出电极连接。5.根据权利要求4所述陶瓷加热盘，其特征在于，所述连接孔包括光孔和螺纹孔，所述引出电极包括光孔段和螺纹段；所述螺纹段与所述螺纹孔连接，所述光孔段的外侧与所述光孔的内壁之间形成第一间隙，所述第一间隙的宽度为0.1mm
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3mm；所述光孔段的端部与所述电极接头、所述正接头和所述负接头分别通过第一焊接层连接。6.根据权利要求5所述陶瓷加热盘，其特征在于，所述引出电极包括电极管段和电极杆段，所述光孔段和螺纹段设置于所述电极管段；所述电极管段形成有内孔，所述内孔的开口端为远离所述光孔段的端部，所述内孔至少延伸到所述螺纹段，所述电极杆段伸入所述内孔与所述内孔底端焊接形成第二焊接层，所述电极杆段的外侧与所述内孔的内壁之间形成第二间隙，所述第二间隙的宽度为0.1mm
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3mm。7.根据权利要求5所述陶瓷加热盘，其特征在于，所述引出电极包括电极管段和电极杆段，所述光孔段和螺纹段设置于所述电极管段；所述电极管段形成有内孔，所述内孔的开口端为远离所述光孔段的端部，所述内孔至少延伸到所述螺纹段，所述电极管段的远离所述光孔段的端部与所述电极杆段焊接形成第三焊接层。8.根据权利要求7所述陶瓷加热盘，其特征在于，所述电极杆段的端部设置有连接条，所述连接条伸入所述内孔。9.一种根据权利要求1
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8任一项所述的陶瓷加热盘的制备方法，其特征在于，常温下将陶瓷原料粉进行预压，并将所述射频电极及所述加热部件预成型，然后与烧制好的所述陶瓷管进行热压一次成型为所述陶瓷加热盘。10.根据权利要求9所述陶瓷加热盘的制备方法，其特征在于，常温预压陶瓷原料粉形成加热盘体的第一盘体层；在所述第一盘体层上放置射频电极，然后填充陶瓷原料粉，常温预压形成加热盘体的第二盘体层；放置加热部件，然后填充
陶瓷原料粉，常温预压形成加热盘体的第三盘体层；在所述第三盘体层上放置陶瓷管，然后进行热压；将多个引出电极穿过所述陶瓷管分别连接所述射频电极和所述加热部件；所述放置加热部件，然后填充陶瓷原料粉，常温预压形成加热盘体的第三盘体层包括：将上层加热部件放置在所述第二盘体层上，然后填充陶瓷原料粉，常温预压形成加热盘体的第三盘体层的第一层；将下层加热部件放置在所述第三盘体层的第一层上，然后填充陶瓷原料粉，常温预压形成加热盘体的第三盘体层的第二层。11.根据权利要求9所述陶瓷加热盘的制备方法，其特征在于，将多个引出电极穿过所述陶瓷管分别连接所述射频电极和所述加热部件包括：在加热盘体上形成多个连接孔分别漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：施建中，何琪娜，刘先兵，
申请(专利权)人：苏州珂玛材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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