可减少前驱物沉积的原子层沉积设备制造技术

本实用新型专利技术是一种可减少前驱物沉积的原子层沉积设备，包括腔体、承载装置、遮蔽件、至少一进气口及至少一抽气口，其中承载装置与遮蔽件位于腔体的容置空间内。遮蔽件用以遮挡腔体的部分内表面，而进气口则流体连接腔体的容置空间。在原子层沉积制程中，气体可由进气口通入腔体的内表面与遮蔽件之间，以避免前驱物进入腔体与遮蔽件之间的空间。抽气口可抽离未与基材反应的前驱物，并可减少前驱物残留在腔体的内表面，并降低腔体的清洁周期及提升产品良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
可减少前驱物沉积的原子层沉积设备


[0001]本技术关于一种可减少前驱物沉积的原子层沉积设备，可于遮蔽件与内墙面之间形成气墙，以防止原子层沉积制程中未反应的前驱物残留于腔体内表面的原子层沉积设备与制程方法。

技术介绍

[0002]积体电路技术的发展已经成熟，且目前电子产品朝向轻薄短小、高性能、高可靠性与智能化的趋势发展。电子产品中的电晶体的微缩技术至关重要，小尺寸的电晶体会对电子产品的性能产生重要影响，当电晶体的尺寸愈小，可减少电流传输时间并降低耗能，以达到快速运算并节能的效果。在现今微小的电晶体中，部分关键的薄膜层几乎仅有几个原子的厚度，而发展这些微量结构的技术的其中一种为原子层沉积制程(atomic layer deposition process,ALDprocess)。
[0003]原子层沉积制程是一种将物质以单原子的形式一层一层地镀于基材表面的技术，其中于制程中，使反应的前驱物与基材或前一层膜的材料表面进行化学吸附，以生产既薄且均匀的薄膜。
[0004]传统的原子层沉积设备系透过底部抽气口抽离未反应的前驱物，然而当未反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可减少前驱物沉积的原子层沉积设备，其特征在于，所述可减少前驱物沉积的原子层沉积设备包括：一腔体，包括内表面用以定义容置空间，而内表面还包括内顶面；一承载装置，设置于所述腔体的容置空间内，并用以承载至少一基材；至少一抽气口，位于所述内顶面且流体连通所述腔体的容置空间，用以抽出所述腔体的容置空间内的至少一前驱物；一遮蔽件，设置于所述腔体的容置空间内，并遮挡所述腔体的部分内表面，且所述遮蔽件与所述腔体的内表面之间具有间隙，所述间隙连通所述容置空间；至少一进气口，位于所述腔体的内表面，且所述遮蔽件遮蔽所述进气口，所述进气口用以将气体导入所述遮蔽件与所述腔体的内表面之间，使得所述气体扩散到所述遮蔽件与所述腔体之间的所述间隙，并经由所述间隙扩散到所述腔体的容置空间；及一前驱物进气口，位于所述内顶面且流体连通所述腔体的所述容置空间，用以传输所述前驱物到所述腔体的所述容置空间。2.根据权利要求1所述的可减少前驱物沉积的原子层沉积设备，其特征在于，其中所述内表面包括内墙面与内底面，所述遮蔽件遮挡所述腔体的部分内墙面及部分内底面，而所述气体则经由所述进气口导入并扩散到所述遮蔽件与所述腔体的内墙面之间的间隙，及扩散到所述遮蔽件与内底面及内墙面之间的间隙，并经由所述间隙扩散至所述腔体的所述容置空间。3.根据权利要求2所述的可减少前驱物沉积的原子层沉积设备，其特征在于，所述可减少前驱物沉积的原子层沉积设备还包括至少一第二抽气口，位于所述腔体的内底面，流体连通所述腔体的容置空间，用以抽出所述腔体的容置空间内的气体或至少一前...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，郭大豪，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：新型
国别省市：