气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备制造技术

公开了一种气体供应单元。示例性气体供应单元包括：设置有多个注射孔的上板；以及分隔板，其构造和布置成抵靠着上板，以引导来自注射孔的气流；其中，多个注射孔中的一个是中心注射孔，并且除多个注射孔中的所述一个之外的其他孔围绕中心注射孔同心地布置作为外注射孔；并且其中，分隔板设置有与中心注射孔流体连通的中心通孔，并且设置有朝向上板延伸的多个突起，从而形成多个区域，每个区域与外注射孔之一流体连通。孔之一流体连通。孔之一流体连通。

【技术实现步骤摘要】
气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备


[0001]本公开总体涉及气体供应单元和包括该气体供应单元的衬底处理设备，更具体地，涉及能够控制衬底的特定部分上的膜沉积的气体供应单元，以及包括该气体供应单元的衬底处理设备。

技术介绍

[0002]在制造半导体器件的过程中，随着电路线宽度减小，需要更精确的过程控制。在作为重要半导体过程之一的膜沉积过程中，已经做出了各种努力来实现高膜均匀性。
[0003]均匀膜沉积的主要因素之一是气体供应单元。喷淋板用于公共气体供应单元。喷淋板的优点是以同轴形状将气体均匀地供应到衬底上。然而，由于例如排气端口和闸阀中的气流，衬底边缘部分的膜厚度和衬底中心部分的膜厚度可能不均匀。
[0004]在本部分中阐述的任何讨论，包括问题和解决方案的讨论，已被包括在本公开中仅是为了提供本公开的背景，不应被视为承认任何或所有讨论在制造本专利技术时是已知的或者以其他方式构成现有技术。

技术实现思路

[0005]提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体供应单元，包括：设置有多个注射孔的上板；以及分隔板，其构造和布置成抵靠着上板，以引导来自注射孔的气流；其中，多个注射孔中的一个是中心注射孔，并且除多个注射孔中的所述一个之外的其他孔围绕中心注射孔同心地布置作为外注射孔；并且其中，分隔板设置有与中心注射孔流体连通的中心通孔，并且设置有朝向上板延伸的多个突起，从而形成多个区域，每个区域与外注射孔之一流体连通。2.根据权利要求1所述的气体供应单元，其中，所述区域中的至少一个具有基本梯形形状。3.根据权利要求1所述的气体供应单元，其中，所述区域的数量为四个，其中一个区域的尺寸大于其他三个区域的尺寸。4.根据权利要求1所述的气体供应单元，其中，所述突起从中心向外部径向布置。5.根据权利要求1所述的气体供应单元，还包括喷淋板，其设置有多个孔以将气流引导到气体供应单元外部，其中，所述喷淋板附接到所述上板的下表面。6.根据权利要求1所述的气体供应单元，还包括连接到所述上板的上表面的绝缘体，其中，所述绝缘体设置有与所述中心注射孔流体连通的中心孔，并且设置有多个外孔，每个外孔与所述外注射孔流体连通。7.根据权利要求5所述的气体供应...

【专利技术属性】
技术研发人员：相田高永，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：