【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】空间可调沉积以在晶片差异弯曲中进行补偿
[0001]本实施方案涉及半导体晶片加工设备工具，更具体地，涉及具有喷头以执行背侧沉积以抵消由形成在顶侧上的层引起的晶片弯曲的室。
技术介绍
[0002]各种薄膜层被沉积到晶片(即，衬底)的顶表面上以形成半导体器件。可以使用已知的沉积工艺(例如化学气相沉积(CVD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD))形成这些薄膜层。CVD是一种沉积类型，其中晶片(即衬底)暴露于一种或多种挥发性前体。这些挥发性前体在衬底表面上反应和/或分解以形成薄膜。PECVD是一种化学气相沉积，用于将薄膜从气态(即蒸汽)沉积到衬底上的固态。在PECVD中，液体前体被转化为蒸汽前体，然后被输送到室。PECVD系统可以包括以受控方式蒸发液体前体以产生蒸汽前体的蒸发器。
[0003]通常，形成半导体器件的大多数沉积和其他工艺发生在衬底的顶表面(即，正面)上。随着薄膜层形成，它们会在衬底中引入内应力。内应力是由用于形成薄膜层的工艺气体的化学特性的差异造成的。随着更多的薄膜层被沉积，内应力增加。沉积在衬底上的不同...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在等离子加工室中使用的喷头基座(ShoPed)，其用于在晶片的下侧表面上沉积膜，所述喷头基座(ShoPed)包括：设置在所述ShoPed中的第一分区；设置在所述ShoPed中的第二分区；上分离器翅片，其设置在所述ShoPed的顶表面上方；和下分离器翅片，其设置在所述ShoPed的所述顶表面下方并与所述上分离器翅片对齐；其中所述第一分区被配置用于将第一膜沉积到所述晶片的所述下侧表面，所述第二分区被配置用于将第二膜沉积到所述晶片的所述下侧表面，以及其中，所述上分离器翅片和所述下分离器翅片限定所述第一膜和所述第二膜之间的分离边界。2.根据权利要求1所述的ShoPed，其中所述第一分区包括用于容纳一定体积的第一工艺气体的第一腔室，并且所述第二分区包括用于容纳一定体积的第二工艺气体的第二腔室。3.根据权利要求2所述的ShoPed，其中所述第一腔室连接到第一供给的第一端，所述第一供给的第二端被配置为连接到第一工艺气体源以接收所述第一工艺气体，并且所述第二腔室连接到第二供给的第一端，所述第二供给的第二端被配置为连接到第二工艺气体源以接收所述第二工艺气体。4.根据权利要求2所述的ShoPed，其中所述第一分区包括与所述第一腔室接口的第一出口组，并且所述第二分区包括与所述第二腔室接口的第二出口组，所述第一出口组提供所述第一工艺气体以用于产生所述第一膜，并且所述第二出口组提供所述第二工艺气体以用于产生所述第二膜。5.根据权利要求1所述的ShoPed，其中所述ShoPed被配置为连接到射频电源以接收功率以产生所述第一膜和所述第二膜，并连接到控制器以控制所述第一膜和所述第二膜的沉积。6.根据权利要求5所述的ShoPed，其中所述射频电源被配置为提供功率以在任何给定时间选择性地产生所述第一膜、或所述第二膜、或所述第一膜和所述第二膜两者。7.根据权利要求1所述的ShoPed，其中所述等离子体加工室还包括设置在顶部并与所述ShoPed相反定向的上电极喷头，所述上电极喷头被配置用于当接收在所述等离子体加工室中时将第三膜沉积到所述晶片的顶表面，并且其中所述上电极喷头被配置为连接到第二射频电源以接收功率以产生所述第三膜。8.根据权利要求1所述的ShoPed，其中所述上分离器翅片包括锥形顶部、平坦底部以及在所述锥形顶部和所述平坦底部之间延伸的主体，其中当载体环上的所述晶片被接收在限定于所述ShoPed的所述顶表面上的晶片支撑件上时，所述锥形顶部接近所述晶片的所述下侧表面并与所述晶片的所述下侧表面分离，并且其中所述平坦底部连接到所述ShoPed的所述顶表面。9.根据权利要求8所述的ShoPed，其中所述平坦底部嵌入在所述ShoPed内部。10.根据权利要求8所述的ShoPed，其中所述平坦底部固定到所述ShoPed的所述顶表面。11.根据权利要求1所述的ShoPed，进一步包括限定在所述顶表面上的边缘区域上的晶
片支撑件，用于接收带有晶片的载体环，所述边缘区域包括沿圆周分布的多个凹部以接收限定在支撑所...
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