【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】原子层沉积装置和原子层沉积方法
[0001]本专利技术涉及一种原子层沉积装置和原子层沉积方法。
技术介绍
[0002]作为用于诸如半导体装置(例如CPU电路)的先进装置的薄膜形成技术(以下有时简称为成膜)，典型已知有气相沉积、溅射、化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)。其中，ALD在阶梯覆盖性和膜密度方面最优越，被认为是先进装置必不可少的薄膜形成技术(参见专利文献1)。
[0003]ALD工艺通常通过重复执行以下四个步骤来进行：将放置目标工件(例如硅晶片)的整个腔室(例如真空容器)抽空；将用于ALD的原料气体(例如TMA(三甲基铝))引入腔室中；从腔室中去除原料气体；将氧化剂(例如水蒸气)供给到腔室中，用于对原料气体进行氧化。通过将原料气体引入腔室中并用原料气体填充腔室，原料气体以一个分子层的量附着到目标工件的表面，由此在目标工件的成膜表面上形成原料气体的分子层。
[0004]然后，通过将用于原料气体的氧化剂供给到腔室中来氧化在成膜表面上形成的原料气体的分子层。结果，在目标工件上形成原料气体的氧化物薄...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在目标工件的成膜表面上形成氧化膜的原子层沉积装置，包括：腔室，所述目标工件放置在所述腔室中；支撑部，所述支撑部支撑放置在所述腔室中的所述目标工件，使所述目标工件可沿着所述目标工件上的四个方向中的相反的两个方向移动；喷头，所述喷头设置在所述腔室内并且与所述目标工件的成膜表面对置；和气体排出部，所述气体排出部通过抽吸将气体排出到所述腔室的外部并且将所述腔室的内部维持在减压状态下，其中：所述喷头包括用于将原料气体喷射到所述腔室中的原料气体喷射口以及用于将臭氧气体和不饱和烃气体喷射到所述腔室中的OH*形成气体喷射口；所述原料气体喷射口和所述OH*形成气体喷射口在所述两个方向上以预定间隔交替布置，以便面对所述目标工件的成膜表面；并且所述OH*形成气体喷射口分别具有用以通过其喷射臭氧气体的第一喷射口和用于通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口。2.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其中，所述喷头包括惰性气体喷射口，所述惰性气体喷射口分别布置在所述原料气体喷射口和所述OH*形成气体喷射口之间，以通过其将惰性气体喷射到所述腔室中。3.根据权利要求1或2所述的原子层沉积装置，其中，所述喷头包括布置在所述喷射口中的至少任何喷射口之间的排气口。4.根据权利要求1至3中任一项所述的原子层沉积装置，其中，所述支撑部包括一个端侧辊和另一个端侧辊，所述目标工件事先卷绕在所述一个端侧辊上，从所述一个端侧辊上进给的所述目标工件将卷绕在所述另一个端侧辊上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的原子层沉积装置，其中，所述支撑部包括支撑台，所述目标工件被支撑在所述支撑台上，并且所述支撑台能够沿着所述目标工件的成膜表面移动。6.根据权利要求1至5中任一项所述的原子层沉积装置，其中，均由所述原料气体喷射口中的一个和与其相邻的所述OH*形成气体喷射口中的一个构成的多个喷射口对以预定间隔布置在所述两个方向上。7.根据权利要求1至6中任一项所述的原子层沉积装置，其中，在所述喷头中，多个所述原料气体喷射口沿着与所述成膜表面上的四个方向中的所述两个方向交叉的交叉方向布置，以便构成原料气体喷射口组，多个所述OH*形成气体喷射口沿着所述交叉方向布置，以便构成OH*形成气体喷射口组。8.根据权利要求1至7中任一项所述的原子层沉积装置，其中，所述喷头的各喷射口在所述两个方向上的尺寸为1mm到50mm，从所述喷头的各喷射口到所述工件的成膜表面的距离为1mm到20mm。9.根据权利要求1至8中任一项所述的原子层沉积装置，其中，所述喷头的所述喷射口中的至少任一喷射口具有沿着与在所述成膜表面上的所述四个方向中的所述两个方向交叉的交叉方向呈细长狭缝的形状。10.一种用于使用根据权利要求1至9中任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员：龟田直人，三浦敏德，花仓满，
申请(专利权)人：株式会社明电舍，
类型：发明
国别省市：
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