专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
株式会社明电舍
>
原子层沉积装置和原子层沉积方法制造方法及图纸
>技术资料下载
下载原子层沉积装置和原子层沉积方法的技术资料
文档序号:32899875
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
在ALD装置(1)的腔室(2)中,位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)...
该专利属于株式会社明电舍所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社明电舍授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。