本发明专利技术公开了一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，涉及半导体加工技术领域，解决了现有装置不便于使真空腔内部刻蚀剂快速均匀分散的问题；包括磁块A、内凹槽，磁块A固定连接于齿环顶部，内凹槽数量设置为二组，其固定连接于底凸仓内侧顶部与底部；所述温度混合结构还包括混合转轮，混合转轮通过滑动连接设置有内凹槽内侧；通过磁力吸附可以使磁块A带动底凸仓内侧的磁块B进行同步转动，使混合转轮进行同步转动，通过其内曲侧面的斜翅对真空腔内部的雾化后的刻蚀酸剂进行搅动，可以使真空腔内部加热时，使其内部雾化的刻蚀剂雾滴热流快速均匀混合分散，可以使雾化的刻蚀剂均匀散落在晶圆表面。散落在晶圆表面。散落在晶圆表面。
【技术实现步骤摘要】
一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置
[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体为一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置。
技术介绍
[0002]半导体加工过程中，需要对半导体原料晶圆进行刻蚀处理，现需一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置。
[0003]基于上述现有技术，传统的半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置一般为桶状结构，未设置在喷洒过程中可以对刻蚀酸剂进行均匀扩散的结构，未设置在刻蚀时可以使晶圆接近悬空固定的结构，不能避免刻蚀后酸剂附着在晶圆底部，不便于对酸剂残留进行处理，未设置可以对刻蚀后的晶圆进行自动运输出料的结构。
[0004]因此，不满足现有加工制造的需求，对此我们提出了一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置。
技术实现思路
[0005](一)技术问题
[0006]本专利技术的目的在于提供一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，以解决上述
技术介绍
中提出的传统的半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置一般为桶状结构，未设置在喷洒过程中可以对刻蚀酸剂进行均匀扩散的结构，未设置在刻蚀时可以使晶圆接近悬空固定的结构，不能避免刻蚀后酸剂附着在晶圆底部，不便于对酸剂残留进行处理，未设置可以对刻蚀后的晶圆进行自动运输出料的结构的问题。
[0007](二)技术方案
[0008]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，包括工作台；
[0009]所述工作台顶部固定连接有真空腔，真空腔内部设置有温度混合结构，真空腔曲侧面底部设置有底凸仓，真空腔曲侧面顶部设置有顶凸仓；
[0010]所述温度混合结构包括固定座，其固定连接于底凸仓外曲侧面处，固定座外侧固定连接有伺服电机，伺服电机转轴顶部通过同轴连接设置有顶齿轮，顶齿轮底部通过同轴连接设置有承接片，承接片顶部通过滑动连接设置有齿环，齿环内侧齿部与顶齿轮啮合传动；
[0011]所述顶凸仓内侧设置有酸剂环喷结构，顶凸仓外侧顶部固定连接有出料结构，出料结构包括往复丝杠；
[0012]所述真空腔顶部连接设置有密封顶板，真空腔内侧底部设置有晶圆支撑结构；
[0013]所述工作台后侧设置有总控制箱，总控制箱左侧固定连接有加压泵，总控制箱右侧固定连接有真空泵。
[0014]优选的，所述温度混合结构还包括磁块A、内凹槽，磁块A固定连接于齿环顶部，内
凹槽数量设置为二组，其固定连接于底凸仓内侧顶部与底部。
[0015]优选的，所述温度混合结构还包括混合转轮，混合转轮通过滑动连接设置有内凹槽内侧，混合转轮顶部与底部通过铰连接设置有滚轮，混合转轮内曲侧面固定连接有斜翅，混合转轮外曲侧面固定连接有磁块B。
[0016]优选的，所述酸剂环喷结构包括环形管、超声波雾化喷头和控压阀，环形管固定连接于顶凸仓内侧，环形管后端与加压泵相连接，环形管内曲侧面固定连接有超声波雾化喷头，超声波雾化喷头内部通过法兰连接设置有控压阀。
[0017]优选的，所述晶圆支撑结构包括电磁铁，电磁铁固定连接于真空腔内侧顶部，真空腔内侧顶面固定连接有环座A。
[0018]优选的，所述环座A内侧固定连接有外架，外架内侧通过铰连接设置有弯折架，弯折架顶端固定连接有弧形夹，弯折架底部突出部通过铰连接设置有铰接件，铰接件底部固定连接有连接座，连接座底部固定连接有铁片。
[0019]优选的，所述出料结构还包括有：
[0020]步进电机，步进电机固定连接于往复丝杠滚珠螺母座前端；
[0021]电动推杆A，其通过同轴连接设置于步进电机转轴曲侧面；
[0022]气泵，气泵固定连接于往复丝杠后端立面处；
[0023]吸头，吸头固定连接于电动推杆A伸缩部前端。
[0024]优选的，所述密封顶板顶部设置有电动推杆B，电动推杆B伸缩部曲侧面与密封顶板内侧铰连接，电动推杆B顶部通过同轴连接设置有调角电机，调角电机后端固定连接于支撑架前端处，支撑架前端与电动推杆B外曲侧面铰连接，支撑架后端与总控制箱固定连接。
[0025]优选的，所述电动推杆B伸缩部底端固定连接有环座B，环座B内侧固定连接有支撑条，支撑条顶面固定连接有圆槽，支撑条前端固定连接有下折板。
[0026]优选的，所述总控制箱内部加压泵通过管道与真空腔内部相连接，加压泵管道内部固定连接有电磁阀。
[0027](三)有益效果
[0028]1、本专利技术通过设置混合转轮，通过总控制箱控制伺服电机运转，可以使伺服电机带动顶齿轮进行转动，从而使其曲侧面啮合传动的齿环进行转动，通过齿环转动可以使其顶部的两组磁块A围绕底凸仓外侧进行水平转动，通过磁力吸附可以使磁块A带动底凸仓内侧的磁块B进行同步转动，可以使两组磁块B带动其内侧的混合转轮进行同步转动，从而可以在混合转轮在转动过程中，通过其内曲侧面的斜翅对喷洒的高温雾化的刻蚀酸剂进行搅动，可以在真空腔内部加热时使其内部的刻蚀剂分子加速运动，从而加速刻蚀剂雾化程度，可以使其内部高温刻蚀剂雾滴快速均匀分散，可以使下方晶圆表面散落的刻蚀剂更为均匀。
[0029]2、本专利技术还通过设置晶圆支撑结构，通过总控制箱控制电动推杆B伸缩部带动环座B垂直下降时，当环座B上的晶圆下降至弧形夹水平高度时，通过总控制箱程序同时控制电磁铁运转，通过其磁力对铁片进行吸附，可以使铁片带动其顶端的连接座垂直下降，可以使连接座带动其顶部的四组铰接件垂直下降，可以使铰接件带动其顶部铰连接的弯折架内侧突出部分向下翻转，可以使其顶端四组弧形夹向内侧聚拢，从而对晶圆曲侧面边缘进行夹持，弧形夹曲侧面底部的水平面可对晶圆边缘底部进行托起，可以使晶圆接近悬空，可以
使刻蚀后使酸剂便于脱离晶圆，可避免酸剂附着在晶圆底部，便于对酸剂残留进行处理。
[0030]3、本专利技术还通过设置出料结构，当刻蚀完毕后，通过总控制箱控制电动推杆B运转，使其伸缩部收缩可以带动密封顶板向上平移，可以使电动推杆B底端连接到环座B带动晶圆向上抬出，通过总控制箱控制电动推杆B顶部的调角电机运转，可以使其带动电动推杆B进行转动，可以使环座B进行水平转动，通过总控制箱控制步进电机运转可以使电动推杆A伸缩部前端的吸头旋转至晶圆上方，通过控制往复丝杠运转，可以使其带动吸头垂直下降至晶圆顶部，通过总控制箱控制气泵运转吸气，可以使吸头对晶圆进行吸取，通过总控制箱控制出料结构各组件配合，可以对环座B上放置的刻蚀后的晶圆进行自动运输出料。
附图说明
[0031]图1为本专利技术实施例整体右侧的立体结构示意图；
[0032]图2为本专利技术实施例图2中A的局部放大示意图；
[0033]图3为本专利技术实施例整体前侧的立体结构示意图；
[0034]图4为本专利技术实施例图3中B的局部放大示意图；
[0035]图5为本专利技术实施例图3中C的局部放大示意图；
[0036]图6为本专利技术实施例图3中D的局部放大示意图；
[0037]图7为本专利技术实施例中真空腔的侧剖面立体结构示意图；
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，其特征在于：包括工作台(1)；所述工作台(1)顶部固定连接有真空腔(2)，真空腔(2)内部设置有温度混合结构，真空腔(2)曲侧面底部设置有底凸仓(201)，真空腔(2)曲侧面顶部设置有顶凸仓(202)；所述温度混合结构包括固定座(2011)，其固定连接于底凸仓(201)外曲侧面处，固定座(2011)外侧固定连接有伺服电机(2012)，伺服电机(2012)转轴顶部通过同轴连接设置有顶齿轮(2013)，顶齿轮(2013)底部通过同轴连接设置有承接片(2014)，承接片(2014)顶部通过滑动连接设置有齿环(2015)，齿环(2015)内侧齿部与顶齿轮(2013)啮合传动；所述顶凸仓(202)内侧设置有酸剂环喷结构，顶凸仓(202)外侧顶部固定连接有出料结构，出料结构包括往复丝杠(3)；所述真空腔(2)顶部连接设置有密封顶板(4)，真空腔(2)内侧底部设置有晶圆支撑结构；所述工作台(1)后侧设置有总控制箱(6)，总控制箱(6)左侧固定连接有加压泵，总控制箱(6)右侧固定连接有真空泵(601)。2.根据权利要求1所述的一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，其特征在于，所述温度混合结构还包括磁块A(2016)、内凹槽(2017)，磁块A(2016)固定连接于齿环(2015)顶部，内凹槽(2017)数量设置为二组，其固定连接于底凸仓(201)内侧顶部与底部。3.根据权利要求1所述的一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，其特征在于，所述温度混合结构还包括混合转轮(203)，混合转轮(203)通过滑动连接设置有内凹槽(2017)内侧，混合转轮(203)顶部与底部通过铰连接设置有滚轮(204)，混合转轮(203)内曲侧面固定连接有斜翅(2031)，混合转轮(203)外曲侧面固定连接有磁块B(2032)。4.根据权利要求1所述的一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，其特征在于，所述酸剂环喷结构包括环形管(2021)、超声波雾化喷头(2022)和控压阀(2023)，环形管(2021)固定连接于顶凸仓(202)内侧，环形管(2021)后端与加压泵相连接，环形管(2021)内曲侧面固定连接有超声波雾化喷头(2022)，超声波雾化喷头(2022)内部通过法兰连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：管章永，王浩元，刘爱桃，胡石磊，
申请(专利权)人：郯城宏创高科技电子产业园有限公司，
类型：发明
国别省市：
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