一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，涉及半导体加工技术领域，解决了现有装置不便于使真空腔内部刻蚀剂快速均匀分散的问题；包括磁块A、内凹槽，磁块A固定连接于齿环顶部，内凹槽数量设置为二组，其固定连接于底凸仓内侧顶部与底部；所述温度混合结构还包括混合转轮，混合转轮通过滑动连接设置有内凹槽内侧；通过磁力吸附可以使磁块A带动底凸仓内侧的磁块B进行同步转动，使混合转轮进行同步转动，通过其内曲侧面的斜翅对真空腔内部的雾化后的刻蚀酸剂进行搅动，可以使真空腔内部加热时，使其内部雾化的刻蚀剂雾滴热流快速均匀混合分散，可以使雾化的刻蚀剂均匀散落在晶圆表面。散落在晶圆表面。散落在晶圆表面。

【技术实现步骤摘要】
一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体为一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置。

技术介绍

[0002]半导体加工过程中，需要对半导体原料晶圆进行刻蚀处理，现需一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置。
[0003]基于上述现有技术，传统的半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置一般为桶状结构，未设置在喷洒过程中可以对刻蚀酸剂进行均匀扩散的结构，未设置在刻蚀时可以使晶圆接近悬空固定的结构，不能避免刻蚀后酸剂附着在晶圆底部，不便于对酸剂残留进行处理，未设置可以对刻蚀后的晶圆进行自动运输出料的结构。
[0004]因此，不满足现有加工制造的需求，对此我们提出了一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置。

技术实现思路

[0005](一)技术问题
[0006]本专利技术的目的在于提供一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，以解决上述
技术介绍
中提出的传统的半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置一般为桶状结构，未设置在喷洒过程中可以对刻蚀酸剂进行均匀扩散的结构，未设置在刻蚀时可以使晶圆接近本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，其特征在于：包括工作台(1)；所述工作台(1)顶部固定连接有真空腔(2)，真空腔(2)内部设置有温度混合结构，真空腔(2)曲侧面底部设置有底凸仓(201)，真空腔(2)曲侧面顶部设置有顶凸仓(202)；所述温度混合结构包括固定座(2011)，其固定连接于底凸仓(201)外曲侧面处，固定座(2011)外侧固定连接有伺服电机(2012)，伺服电机(2012)转轴顶部通过同轴连接设置有顶齿轮(2013)，顶齿轮(2013)底部通过同轴连接设置有承接片(2014)，承接片(2014)顶部通过滑动连接设置有齿环(2015)，齿环(2015)内侧齿部与顶齿轮(2013)啮合传动；所述顶凸仓(202)内侧设置有酸剂环喷结构，顶凸仓(202)外侧顶部固定连接有出料结构，出料结构包括往复丝杠(3)；所述真空腔(2)顶部连接设置有密封顶板(4)，真空腔(2)内侧底部设置有晶圆支撑结构；所述工作台(1)后侧设置有总控制箱(6)，总控制箱(6)左侧固定连接有加压泵，总控制箱(6)右侧固定连接有真空泵(601)。2.根据权利要求1所述的一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，其特征在于，所述温度混合结构还包括磁块A(2016)、内凹槽(2017)，磁块A(2016)固定连接于齿环(2015)顶部，内凹槽(2017)数量设置为二组，其固定连接于底凸仓(201)内侧顶部与底部。3.根据权利要求1所述的一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，其特征在于，所述温度混合结构还包括混合转轮(203)，混合转轮(203)通过滑动连接设置有内凹槽(2017)内侧，混合转轮(203)顶部与底部通过铰连接设置有滚轮(204)，混合转轮(203)内曲侧面固定连接有斜翅(2031)，混合转轮(203)外曲侧面固定连接有磁块B(2032)。4.根据权利要求1所述的一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，其特征在于，所述酸剂环喷结构包括环形管(2021)、超声波雾化喷头(2022)和控压阀(2023)，环形管(2021)固定连接于顶凸仓(202)内侧，环形管(2021)后端与加压泵相连接，环形管(2021)内曲侧面固定连接有超声波雾化喷头(2022)，超声波雾化喷头(2022)内部通过法兰连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：管章永，王浩元，刘爱桃，胡石磊，
申请(专利权)人：郯城宏创高科技电子产业园有限公司，
类型：发明
国别省市：