本发明专利技术提供了一种晶圆处理装置。该晶圆处理装置包括反应腔室；反应腔室设有支撑座，支撑座用于承载晶圆；反应腔室的顶侧可拆卸连接有喷头面板，喷头面板用于向晶圆喷射等离子体；支撑座设有陶瓷件，陶瓷件具有耐腐蚀性。本发明专利技术的晶圆处理装置通过将支撑座和喷头面板设置于反应腔室内，能够对设置于反应腔室内的晶圆进行支撑和处理，并通过在支撑座设置陶瓷件能够限制等离子体的范围，且能够避免陶瓷件或支撑座与反应腔室侧壁之间发生异常放电，并能够减缓支撑座以及陶瓷件在长期技术处理的环境作用下的影响，减缓反应腔室内颗粒和微粒物质产生的速度，降低反应腔内颗粒物质、微粒物质或漂浮物质的数量，延长陶瓷件的使用寿命，降低宕机频率。降低宕机频率。降低宕机频率。
【技术实现步骤摘要】
晶圆处理装置
[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种晶圆处理装置。
技术介绍
[0002]晶圆处理被用于通过技术来处理半导体，所述技术包括：物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积(Chemical vapor deposition，CVD)、等离子体增强化学气相沉积(Plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)、等离子体增强原子层沉积(Plasma enhanced atomic layer deposition，PEALD)、脉冲沉积层(Pulse deposition layer，PDL)、分子层沉积(Molecular layer deposition，MLD)、等离子体增强脉冲沉积层(Plasma enhanced pulsed deposition layer，PEPDL)处理、蚀刻和抗蚀剂去除等。
[0003]现有的晶圆处理装置在长期技术处理的环境作用下，晶圆处理装置的内腔表面容易产生颗粒或微粒物质。且随着时间的作用，上述颗粒或微粒物质或脱落，致使晶圆处理装置内腔内的漂浮物增多。伴随着晶圆在进出晶圆处理装置的过程中，上述颗粒、微粒物质或上述漂浮物会运动至晶圆的表面，容易对晶圆造成污染。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种晶圆处理装置，用以改善晶圆处理装置的内腔表面容易产生颗粒或微粒物质的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种晶圆处理装置包括反应腔室；所述反应腔室设有支撑座，所述支撑座用于承载晶圆；所述反应腔室的顶侧可拆卸连接有喷头面板，所述喷头面板用于向所述晶圆喷射等离子体；支撑座设有陶瓷件，所述陶瓷件具有耐腐蚀性。
[0006]本专利技术的晶圆处理装置的有益效果在于：通过将所述支撑座和所述喷头面板设置于所述反应腔室内，能够对设置于所述反应腔室内的晶圆进行支撑和处理。并通过在所述支撑座设置陶瓷件能够限制等离子体的范围，且能够避免陶瓷件或支撑座与反应腔室侧壁之间发生异常放电，并能够减缓所述支撑座以及陶瓷件在长期技术处理的环境作用下的影响，减缓所述反应腔室内颗粒和微粒物质产生的速度，降低所述反应腔内颗粒物质、微粒物质或漂浮物质的数量，延长陶瓷件的使用寿命，降低宕机频率，降低装置使用成本。
[0007]在一种可行的方案中，经过物理抛光后的陶瓷件的表面粗糙度小于0.2um。其有益效果在于：通过物理抛光使得所述陶瓷件的表面粗糙度小于0.2um，能够降低所述陶瓷件的表面缺陷，提升所述陶瓷件的耐腐蚀性。
[0008]在一种可行的方案中，所述陶瓷件的晶粒尺寸大于等于1um、且尺寸小于等于5um。其有益效果在于：通过将所述陶瓷件的制成材料的晶粒尺寸限定在大于等于1um，且小于等于5um的范围内，降低所述陶瓷件的表面缺陷，提升所述陶瓷件的耐腐蚀性。
[0009]在一种可行的方案中，所述陶瓷件的晶粒尺寸大于等于1.8um、且尺寸小于等于2.2um。其有益效果在于：这样设置能够进一步提升所述陶瓷件的质地均匀程度。
[0010]在一种可行的方案中，所述晶粒尺寸为所述晶粒的平均尺寸。其有益效果在于：这样设置便于减少所述陶瓷件的表面缺陷数量。
[0011]在一种可行的方案中，所述陶瓷件为低介电损耗的陶瓷材料，且所述低介电损耗的陶瓷材料的介质损耗因数小于等于10
‑4。其有益效果在于：这样设置能够减少电荷累积，进而降低所述支撑座以及所述反应腔室吸附颗粒物质或微粒物质的能力。
[0012]在一种可行的方案中，所述陶瓷件为经过热退火处理的陶瓷。其有益效果在于：将所述陶瓷件经过热退火处理，能够降低所述陶瓷件表面缺陷的数量，且能够提升所述陶瓷件的耐腐蚀性。
[0013]在一种可行的方案中，所述热退火处理的温度不小于1300℃。其有益效果在于：这样能够进一步降低所述陶瓷件表面缺陷的数量。
[0014]在一种可行的方案中，所述陶瓷件的截面为倒L形。其有益效果在于：将所述倒L形的陶瓷件设置于所述支撑座，能够同时对所述支撑座的两个侧面进行防护，能够降低随着晶圆在进出晶圆处理装置的过程中外界对所述支撑座的影响，减缓微粒或颗粒物质产生的速率。
[0015]在一种可行的方案中，所述反应腔室设有通孔，且所述通孔的大小不小于所述晶圆的大小。其有益效果在于：这样设置能够通过所述通孔输送晶圆进出所述反应腔室。
[0016]在一种可行的方案中，还包括第一驱动装置；所述支撑座设置于所述第一驱动装置，所述第一驱动装置用于带动所述支撑座往复运动。其有益效果在于：通过设置所述第一驱动装置，带动所述支撑座做远离或靠近所述喷淋面板的运动，便于对所述支撑座上的晶圆进行加工。
[0017]在一种可行的方案中，还包括第二驱动装置；所述支撑座设有避让部，且所述避让部与所述支撑座承载的晶圆对应设置，所述第二驱动装置设置于所述支撑座的一侧，所述第二驱动机构用于通过所述避让部带动所述晶圆移动。其有益效果在于：通过设置所述第二驱动装置，且通过所述避让部是的所述第二驱动装置能够带动所述支撑座上的晶圆移动，便于调整所述晶圆相比于所述支撑座的高度，便于所述晶圆的更换。
[0018]在一种可行的方案中，还包括第三驱动装置和支撑件；所述支撑部设置于所述第三驱动装置，所述第三驱动装置设置于所述通孔一侧，所述第三驱动装置用于带动所述支撑件往复移动，所述支撑件用于承载所述晶圆。其有益效果在于：通过设置所述支撑件和所述第三驱动装置，能够对所述晶圆进行支撑，且能够讲所述支撑件上的晶圆输送至所述反应腔室内，且能够通过所述支撑件将所述反应腔室内的晶圆取出。
[0019]在一种可行的方案中，还包括若干导电体；还包括导电体；所述导电体均设置于所述反应腔室，所述导电体用于聚集所述反应腔室内的静电。其有益效果在于：通过设置所述导电体便于收集所述反应腔室内产生的静电，避免静电堆积在所述支撑座或所述陶瓷件上，进而能够降低所述支撑座或所述陶瓷件吸附微粒物质、颗粒物质或漂浮物的能力。
[0020]在一种可行的方案中，所述导电体设置为若干个，且至少两个所述导电体相连接。其有益效果在于：将所述导电体设置为若干个，能够提升所述导电体收集静电的能力，且将至少两个所述导电体连接设置，能够均衡导电体上的电量，均衡所述导电体上的吸附能力。
[0021]在一种可行的方案中，至少一个所述导电体的一端与低电位处连通。其有益效果在于：这样设置能够通过低电位处将所述导电体上聚集的静电释放出去，降低所述反应腔
室的吸附能力，能够减少所述反应腔室内聚集的微粒物质、颗粒物质或漂浮物的数量。
[0022]在一种可行的方案中，还包括供电装置和电荷释放器；所述电荷释放器设置于所述反应腔室内，所述供电装置与所述电荷释放器电性连接，所述供电装置用于向所述电荷释放器供电，所述电荷释放器用于释放电荷。其有益效果在于：通本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括反应腔室；所述反应腔室设有支撑座，所述支撑座用于承载晶圆；所述反应腔室的顶侧可拆卸连接有喷头面板，所述喷头面板用于向所述晶圆喷射等离子体；支撑座设有陶瓷件，所述陶瓷件具有耐腐蚀性。2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，经过物理抛光后的陶瓷件的表面粗糙度小于0.2um。3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述陶瓷件的晶粒尺寸大于等于1um、且尺寸小于等于5um。4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述陶瓷件的晶粒尺寸大于等于1.8um、且尺寸小于等于2.2um。5.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶粒尺寸为所述晶粒的平均尺寸。6.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述陶瓷件为低介电损耗的陶瓷材料。7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述低介电损耗的陶瓷材料的介质损耗因数小于等于10
‑4。8.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述陶瓷件为经过热退火处理的陶瓷。9.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述热退火处理的温度不小于1300℃。10.根据权利要求1至9中任意一项所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述陶瓷件的截面为倒L形。11.根据权利要求1至9中任意一项所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述反应腔室设有通孔，且所述通孔的大小不小于所述晶圆的大小。12.根据权利要求11所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：董文惠，谈太德，张志鹏，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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