晶圆处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种晶圆处理装置。该晶圆处理装置包括反应腔室；反应腔室设有支撑座，支撑座用于承载晶圆；反应腔室的顶侧可拆卸连接有喷头面板，喷头面板用于向晶圆喷射等离子体；支撑座设有陶瓷件，陶瓷件具有耐腐蚀性。本发明专利技术的晶圆处理装置通过将支撑座和喷头面板设置于反应腔室内，能够对设置于反应腔室内的晶圆进行支撑和处理，并通过在支撑座设置陶瓷件能够限制等离子体的范围，且能够避免陶瓷件或支撑座与反应腔室侧壁之间发生异常放电，并能够减缓支撑座以及陶瓷件在长期技术处理的环境作用下的影响，减缓反应腔室内颗粒和微粒物质产生的速度，降低反应腔内颗粒物质、微粒物质或漂浮物质的数量，延长陶瓷件的使用寿命，降低宕机频率。降低宕机频率。降低宕机频率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种晶圆处理装置。

技术介绍

[0002]晶圆处理被用于通过技术来处理半导体，所述技术包括：物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积(Chemical vapor deposition，CVD)、等离子体增强化学气相沉积(Plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)、等离子体增强原子层沉积(Plasma enhanced atomic layer deposition，PEALD)、脉冲沉积层(Pulse deposition layer，PDL)、分子层沉积(Molecular layer deposition，MLD)、等离子体增强脉冲沉积层(Plasma enhanced pulsed deposition layer，PEPDL)处理、蚀刻和抗蚀剂去除等。
[0003]现有的晶圆处理装置在长期技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括反应腔室；所述反应腔室设有支撑座，所述支撑座用于承载晶圆；所述反应腔室的顶侧可拆卸连接有喷头面板，所述喷头面板用于向所述晶圆喷射等离子体；支撑座设有陶瓷件，所述陶瓷件具有耐腐蚀性。2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，经过物理抛光后的陶瓷件的表面粗糙度小于0.2um。3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述陶瓷件的晶粒尺寸大于等于1um、且尺寸小于等于5um。4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述陶瓷件的晶粒尺寸大于等于1.8um、且尺寸小于等于2.2um。5.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶粒尺寸为所述晶粒的平均尺寸。6.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述陶瓷件为低介电损耗的陶瓷材料。7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述低介电损耗的陶瓷材料的介质损耗因数小于等于10
‑4。8.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述陶瓷件为经过热退火处理的陶瓷。9.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述热退火处理的温度不小于1300℃。10.根据权利要求1至9中任意一项所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述陶瓷件的截面为倒L形。11.根据权利要求1至9中任意一项所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述反应腔室设有通孔，且所述通孔的大小不小于所述晶圆的大小。12.根据权利要求11所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：董文惠，谈太德，张志鹏，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：