三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统技术方案

本发明专利技术涉及一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统，包括：形成基底；在基底上形成贯穿有第一沟道孔的第一堆栈结构，第一堆栈结构包括在垂直于基底的方向上多层交替层叠设置的第一栅极牺牲层和第一绝缘层，且第一堆栈结构远离基底的一端为第一栅极牺牲层；在第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构，第一沟道孔与第二沟道孔连通；在第一沟道孔和第二沟道孔中形成沟道结构，从而，能够改善三维存储器中栅极层之间漏电的问题，提高了三维存储器的良率及可靠性。提高了三维存储器的良率及可靠性。提高了三维存储器的良率及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统


[0001]本专利技术涉及存储器
，具体涉及一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统。

技术介绍

[0002]随着技术的发展，半导体工业不断寻找新的生产方式，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数量的存储器单元。其中，3D NAND(三维存储器)由于其存储密度高、成本低等优点，已成为目前较为前沿、且极具发展潜力的三维存储器技术。
[0003]但是，如何改善三维存储器中栅极层之间漏电的问题是当前存储器技术中一个相当困扰的问题，急待解决。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统，以改善三维存储器中栅极层之间漏电的问题，进而提高三维存储器的良率及可靠性。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种三维存储器的制作方法，该三维存储器的制作方法包括：形成基底；在基底上形成贯穿有第一沟道孔的第一堆栈结构，第一堆栈结构包括在垂直于基底的方向上多层交替层叠设置的第一栅极牺牲层和第一绝缘层，且第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：形成基底；在所述基底上形成贯穿有第一沟道孔的第一堆栈结构，所述第一堆栈结构包括在垂直于所述基底的方向上多层交替层叠设置的第一栅极牺牲层和第一绝缘层，且所述第一堆栈结构远离所述基底的一端为所述第一栅极牺牲层；在所述第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构，所述第二沟道孔与所述第一沟道孔连通；在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔中形成沟道结构。2.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在所述第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构之前，还包括：在所述第一沟道孔中形成牺牲材料层；将所述牺牲材料层与所述第一堆栈结构中最上层的所述第一栅极牺牲层切齐；所述在所述第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构，具体包括：在切齐后的所述牺牲材料层和最上层的所述第一栅极牺牲层上，形成第二堆栈结构；形成贯穿所述第二堆栈结构的第二沟道孔，所述第二沟道孔暴露出所述牺牲材料层；经由所述第二沟道孔去除所述牺牲材料层。3.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔中形成沟道结构，具体包括：在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔的内壁上形成第一氮化物层；对所述第一氮化物层进行氧化处理，以得到第一氧化物层；在所述第一氧化物层背离所述内壁的一侧上形成第二氮化物层；在所述第二氮化物层背离所述第一氧化物层的一侧上形成第二氧化物层；在所述第二氧化物层背离所述第二氮化物层的一侧上形成沟道层，以得到包括所述第一氧化物层、所述第二氮化物层、所述第二氧化物层和所述沟道层的沟道结构。4.根据权利要求3所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述第一沟道孔的内壁和所述第二堆栈结构之间形成拐角，且在对所述第一氮化物层进行氧化处理后，位于所述拐角处的部分所述第一氮化物层被残留，以形成残留物，剩余部分的所述第一氮化物层被氧化形成所述第一氧化物层。5.根据权利要求4所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述残留物与所述第一栅极牺牲层连接，且所述残留物的上表面与所述第一栅极牺牲层的上表面平齐。6.根据权利要求4所述的三维存储器的制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐前兵，高晶，李思晢，赵婷婷，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：