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本发明涉及一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统，包括：形成基底；在基底上形成贯穿有第一沟道孔的第一堆栈结构，第一堆栈结构包括在垂直于基底的方向上多层交替层叠设置的第一栅极牺牲层和第一绝缘层，且第一堆栈结构远离基底的一端为第一栅极牺...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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