三维存储器及其制备方法技术

本公开涉及三维存储器及其制备方法。所述方法可以包括：在衬底上形成在平行于衬底的方向上彼此相邻的刻蚀停止层和牺牲层；在刻蚀停止层和牺牲层上形成叠层结构；形成贯穿叠层结构至牺牲层的沟道结构；去除衬底和牺牲层以暴露沟道结构的端部；去除沟道结构的功能层的部分以暴露沟道结构的沟道层；以及形成与沟道层接触的引出结构。根据本公开的三维存储器的制备方法可以避免由于虚拟沟道在制备工艺中被刻蚀而导致的漏电问题，提高了三维存储器的电学性能和产品良率。学性能和产品良率。学性能和产品良率。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体设计及制造领域，更具体地，涉及三维存储器的结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]三维存储器的核心区域可以由包括多个栅极层和多个电介质层的叠层结构以及穿过该叠层结构的沟道结构构成。沟道结构与栅极层对应的部分以及相应的栅极层可以形成存储单元。叠层结构的一些栅极层可作为控制栅极，用于对存储单元进行控制，以实现存储功能。
[0003]随着对存储密度的要求不断提高，叠层结构的层数不断增加，三维存储器的结构亦越来越复杂。诸如三维存储器中台阶结构的形成、沟道孔和栅线缝隙的刻蚀等的工艺面临相应的挑战。

技术实现思路

[0004]本公开提供一种三维存储器及其制备方法。
[0005]本公开的一方面提供了一种三维存储器的制备方法。所述方法可以包括：在衬底上形成在平行于衬底的方向上彼此相邻的刻蚀停止层和牺牲层；在刻蚀停止层和牺牲层上形成叠层结构；形成贯穿叠层结构至牺牲层的沟道结构，其中，沟道结构包括功能层和沟道层；去除衬底和牺牲层以暴露沟道结构的端部；去除沟道结构的功能层的部分以暴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制备方法，包括：在衬底上形成刻蚀停止层和牺牲层，所述刻蚀停止层和所述牺牲层在平行于所述衬底的方向上彼此相邻；在所述刻蚀停止层和所述牺牲层上形成叠层结构；形成贯穿所述叠层结构至所述牺牲层的沟道结构，其中，所述沟道结构包括功能层和沟道层；去除所述衬底和所述牺牲层以暴露所述沟道结构的端部；去除所述沟道结构的所述功能层的部分以暴露所述沟道结构的所述沟道层；以及形成与所述沟道层接触的引出结构。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述刻蚀停止层和所述牺牲层包括：在所述衬底上形成第一牺牲层；去除所述第一牺牲层的部分以在预设位置处形成间隙，所述第一牺牲层的剩余部分为所述牺牲层；以及在所述间隙中形成所述刻蚀停止层。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述预设位置与未形成有所述沟道结构的非核心阵列区对应。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀停止层与所述牺牲层具有刻蚀选择比。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层的材料包括氧化物。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀停止层的材料包括多晶硅。7.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述牺牲层与去除所述功能层的所述部分同时执行。8.根据权利要求1所述的方法，其中，在暴露所述沟道层之后，所述方法还包括：对所述沟道层进行重掺杂。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述引出结构的材料包括重掺杂多晶硅。10.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述沟道结构之后，所述方法还包括：在与所述刻蚀停止层对应的位置处，形成穿过所述叠层结构的虚拟沟道和...

【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：