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本公开涉及三维存储器及其制备方法。所述方法可以包括：在衬底上形成在平行于衬底的方向上彼此相邻的刻蚀停止层和牺牲层；在刻蚀停止层和牺牲层上形成叠层结构；形成贯穿叠层结构至牺牲层的沟道结构；去除衬底和牺牲层以暴露沟道结构的端部；去除沟道结构的功...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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