【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]该申请要求于2020年9月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0124575的权益，并且该申请的全部内容以引用方式全文并入本文中。
[0003]本专利技术构思的各个示例实施例涉及一种半导体装置。
技术介绍
[0004]随着半导体装置变得高度集成，单个电路图案变得更加小型化，以在同一区域内实现更多的半导体装置。
[0005]另一方面，随着这些半导体存储器装置的高度集成，寄生电容和漏电流的影响越来越大。由于寄生电容和漏电流使半导体装置的工作特性恶化，因此期望和/或需要能够减小和/或最小化寄生电容和漏电流的半导体装置。
技术实现思路
[0006]本专利技术构思的各个示例实施例提供了具有改进的工作特征的半导体装置。
[0007]根据本专利技术构思的至少一个示例实施例，一种半导体装置包括：半导体衬底，其包括沟槽；沟槽中的直接接触件，直接接触件的宽度小于沟槽的宽度；直接...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：半导体衬底，其包括沟槽；所述沟槽中的直接接触件，所述直接接触件的宽度小于所述沟槽的宽度；所述直接接触件上的位线结构，所述位线结构的宽度小于所述沟槽的宽度；第一间隔件，其包括第一部分和第二部分，所述第一部分沿着所述直接接触件的整个侧表面延伸，所述第二部分沿着所述沟槽延伸；所述第一间隔件上的第二间隔件，所述第二间隔件填充所述沟槽；所述第二间隔件上的第三间隔件；以及所述第三间隔件上的空气间隔件，所述空气间隔件通过所述第三间隔件与所述第二间隔件间隔开，其中，所述第一间隔件包括氧化硅。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第三间隔件包括竖直部分和水平部分，所述竖直部分沿着所述位线结构的侧表面延伸，所述水平部分沿着所述第一间隔件的所述第一部分的顶表面和所述第二间隔件的顶表面延伸；并且所述空气间隔件通过所述第三间隔件的所述水平部分与所述第二间隔件分离。3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：第四间隔件，其位于所述第一间隔件的所述第二部分的顶表面上，所述第四间隔件沿着所述空气间隔件的侧表面和所述第二间隔件的通过所述第一间隔件暴露的侧表面延伸，其中，所述第四间隔件包括氮化硅。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第四间隔件的下部的至少一部分插入所述第二间隔件中。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一间隔件与所述直接接触件的侧表面接触；所述第三间隔件与所述位线结构的侧表面接触；并且所述第二间隔件和所述第三间隔件包括氮化硅。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二间隔件沿着所述第一间隔件的所述第一部分延伸。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述直接接触件的宽度等于所述位线结构的宽度。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述直接接触件的宽度小于所述位线结构的宽度。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述直接接触件的顶表面与所述第一间隔件的所述第一部分的顶表面位于同一平面上。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述直接接触件的顶表面低于所述第一间隔件的所述第一部分的顶表面。11.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：接触结构，其电连接至所述半导体衬底，所述接触结构通过所述第一间隔件、所述第二间隔件、所述第三间隔件和所述空气间隔件与所述位线结构间隔开；以及
所述接触结构上的电容器结构，所述电容器结构电连接至所述接触结构。12.一种半导体装置，包括：半导体衬底，其包括元件隔离层、有源区和沟槽，所述有源区由所述元件隔离层限定并且在第一方向上布置，并且所述沟槽形成在所述元件隔离层和所述有源区的一部分中；多个埋置接触件，其连接至所述有源区并且在与所述第一方向不同的第二方向上布置；所述沟槽中的直接接触件，所述直接接触件的宽度小于所述沟槽的宽度，并且所述直接接触件连接至所述有源区；多个位线结构，其通过所述直接接触件连接至所述半导体衬底，所述多个位线结构跨过所述多个埋置接触件中的至少两个埋置接触件之间的有源区在第三方向上延伸；以及间隔件结构，其沿着所述多个位线结构的侧表面在所述第三方向...
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