一种带释放热应力围坝的陶瓷基板制造技术

本实用新型专利技术公开一种带释放热应力围坝的陶瓷基板，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的上表面设置有上线路层，所述陶瓷基板的下表面设置有下线路层，所述上线路层上堆叠设置有若干围坝层，若干围坝层为封闭环形结构，若干围坝层堆叠构形成围坝，其中，若干围坝层的外环宽度由上至下逐渐减小设置，所述围坝的外侧面形成阶梯状结构，所述围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成用于释放热应力的避让槽。该带释放热应力围坝的陶瓷基板通过于围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成释放热应力的避让槽，固晶后围坝产生的热膨胀应力通过避让槽被释放，减少陶瓷基板与围坝之间的膨胀应力，防止陶瓷基板因为围坝的热膨胀应力过大而被拉裂。拉裂。拉裂。

【技术实现步骤摘要】
一种带释放热应力围坝的陶瓷基板


[0001]本技术涉及陶瓷基板领域技术，尤其是指一种带释放热应力围坝的陶瓷基板。

技术介绍

[0002]良好的器件散热能力依赖于优化的散热结构设计、封装材料选择及封装制造工艺等。陶瓷基板由于其良好的导热性、耐热性、绝缘性、低热膨胀系数和成本的不断降低，在电子封装特别是功率电子器件如绝缘栅双极晶体管、激光二极管、发光二极管、聚焦型光伏封装中的应用越来越广泛。
[0003]现有的DPC陶瓷围坝板一般为直镀形3D的DPC陶瓷围坝板，即：直接在陶瓷基板的线路层上做垂直围坝。然而，单个陶瓷基板上的垂直围坝尺寸太小，围坝成型后与陶瓷基板粘贴容易产生以下问题：垂直围坝无法进行铣削、铣削成型后的围坝与陶瓷基板可能不对位、由于垂直围坝的外侧面焊接面积小而造成焊接部件容易脱落。加之，直镀形3D的DPC陶瓷围坝板的围坝为镀铜材质的垂直结构，DPC陶瓷围坝板经过后续的固晶加工后，陶瓷基板会因为垂直围坝的外侧垂直铜层的热膨胀应力过大而被拉裂变形，导致无法通过冷热冲击循坏测试。
[0004]因此，需要研究一种新的技术方案来解决上述问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种带释放热应力围坝的陶瓷基板，其通过于围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成释放热应力的避让槽，固晶后围坝产生的热膨胀应力通过避让槽被释放，减少陶瓷基板与围坝之间的膨胀应力，防止陶瓷基板因为围坝的热膨胀应力过大而被拉裂。
[0006]为实现上述目的，本技术采用如下之技术方案：
[0007]一种带释放热应力围坝的陶瓷基板，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的上表面设置有上线路层，所述陶瓷基板的下表面设置有下线路层，所述上线路层上堆叠设置有若干围坝层，若干围坝层为封闭环形结构，若干围坝层堆叠形成围坝，若干围坝层的外环宽度由上至下逐渐减小设置，所述围坝的外侧面形成阶梯状结构，所述围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成用于释放热应力的避让槽。
[0008]作为一种优选方案，所述围坝的内侧面与上线路层的上表面相互垂直设置。
[0009]作为一种优选方案，所述围坝层设置有两层以上。
[0010]作为一种优选方案，所述围坝层为金属材质。
[0011]作为一种优选方案，所述围坝层为铜材质。
[0012]作为一种优选方案，所述陶瓷基板的基材为氮化铝陶瓷或氧化铝陶瓷或氮化硅陶瓷或铝硅碳陶瓷。
[0013]本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术
方案可知，其主要是带释放热应力围坝的陶瓷基板采用若干围坝层的外环宽度由上至下逐渐减小设置，若干围坝层叠设构形成围坝，围坝的外侧面形成阶梯状结构，使得：围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成释放热应力的避让槽，固晶后围坝产生的热膨胀应力通过避让槽被释放，减少陶瓷基板与围坝之间的膨胀应力，防止陶瓷基板因为围坝的热膨胀应力过大而被拉裂；其结构简单、易于生产。
[0014]同时，顶部的围坝层设计得相对较大，可以增加后续焊接部件（例如透镜、盖板）的焊接面积，降低焊接部件脱落的风险。由于围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成避让槽，在组装透镜或盖板时可以巧妙利用避让槽作为扣位，提高透镜或盖板的组装稳固性。
[0015]为更清楚地阐述本技术的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本技术进行详细说明。
附图说明
[0016]图1是本技术之实施例一的示意图；
[0017]图2是本技术之实施例一的局部示意图；
[0018]图3是本技术之实施例二的示意图；
[0019]图4是本技术之实施例二的局部示意图。
[0020]附图标识说明：
[0021]10、陶瓷基板
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21、上线路层
[0022]22、下线路层
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30、第一围坝层
[0023]40、第二围坝层
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50、第三围坝层
[0024]60、避让槽
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61、第一台阶
[0025]62、第二台阶
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63、横向凹槽
[0026]64、第三台阶
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65、第四台阶
[0027]70、第四围坝层。
具体实施方式
[0028]请参照图1至图4所示，其显示出了本技术之实施例的具体结构。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语
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上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本技术的具体保护范围。
[0030]一种带释放热应力围坝的陶瓷基板，包括陶瓷基板10，所述陶瓷基板10的上表面设置有上线路层，所述陶瓷基板10的下表面设置有下线路层22，所述上线路层21上堆叠设置有若干围坝层，若干围坝层为封闭环形结构，若干围坝层堆叠形成围坝，并且，若干围坝层的外环宽度由上至下逐渐减小设置；其中，所述围坝的外侧面形成阶梯状结构，所述围坝的外周侧与上线路层21的上表面之间形成释放热应力的避让槽60。其中，所述围坝层为金属材质，优选地，所述围坝层为铜材质。优选地，所述陶瓷基板10的基材为氮化铝陶瓷或氧化铝陶瓷或氮化硅陶瓷或铝硅碳陶瓷。
[0031]图1及图2所示，其分别展示了实施例一的示意图、局部示意图。在实施例一中，陶
瓷基板10上设置有三层围坝层。其中，若干围坝层的内侧面与上线路层21的上表面相互垂直设置。具体而言，上线路层21上设置有围坝层为第一围坝层30，第一围坝层30的外环宽度小于上线路层21的外环宽度，第一围坝层30的外侧面与上线路层21之间形成第一台阶61，第一围坝层30上设置有第二围坝层40，第二围坝层40的外环宽度大于第一围坝层30的外环宽度，第二围坝层40的底面与第一围坝层30的外侧面之间形成第二台阶62，第二围坝层40的底面、第一围坝层30的外侧面、上线路层21的顶面围构形成横向凹槽63，第二围坝层40上设置有第三围坝层50，第三围坝层50的底面与第二围坝层40的外侧面之间形成第三台阶63。横向凹槽63、第三台阶63围构形成释放热应力的避让槽60。
[0032]图3及图4所示，其分别展示了实施例二的示意图、局部示意图。在实施例二中，陶瓷基板10上设置有四层围坝层，具体而言，在实施例一的基础上，第三围坝层50的上端设置有第四围坝层70。其中，第四围坝层70的外环宽度大于第三围坝层50的外环宽度，第四围坝层70的底面与第三围坝层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带释放热应力围坝的陶瓷基板，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的上表面设置有上线路层，所述陶瓷基板的下表面设置有下线路层，所述上线路层上堆叠设置有若干围坝层，若干围坝层为封闭环形结构，若干围坝层堆叠形成围坝，其特征在于：若干围坝层的外环宽度由上至下逐渐减小设置，所述围坝的外侧面形成阶梯状结构，所述围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成用于释放热应力的避让槽。2.根据权利要求1所述的带释放热应力围坝的陶瓷基板，其特征在于：所述围坝的内侧面与上...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁广，罗素扑，黄嘉铧，陈志敏，
申请(专利权)人：惠州市芯瓷半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：