半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一实施方式提供能够谋求散热性的提高的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具有壳体、第1基板模块、多个散热板及1个以上的连接部。第1基板模块包括第1基板和1个以上的第1电子部件。第1基板模块容纳在壳体内。多个散热板在壳体内在第1基板的厚度方向上与第1基板模块相面对的位置沿厚度方向配置。1个以上的连接部与第1基板模块及多个散热板相接。板相接。板相接。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001]本申请享受以日本专利申请2020
‑
155472号(申请日：2020年9月16日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及半导体存储装置。

技术介绍

[0003]半导体存储装置具备壳体、容纳于壳体的基板及安装于基板的半导体存储器部件。半导体存储装置被期待着散热性的提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一实施方式所要解决的课题在于，提供一种能够谋求散热性的提高的半导体存储装置。
[0005]一实施方式的半导体存储装置具有壳体、第1基板模块、多个散热板及1个以上的连接部。第1基板模块包括第1基板和1个以上的第1电子部件。第1基板模块容纳于壳体内。多个散热板在壳体内在第1基板的厚度方向上与第1基板模块相面对的位置沿厚度方向配置。1个以上的连接部与第1基板模块及多个散热板相接。
附图说明
[0006]图1是示出第1实施方式的半导体存储装置的外观的一例的立体图。
[0007]图2是沿着图1的II
‑
II线的剖视图。
[0008]图3是第1实施方式的基体侧基板模块的仰视图。
[0009]图4是第1实施方式的基体侧基板模块的俯视图。
[0010]图5是第1实施方式的罩侧基板模块的仰视图。
[0011]图6是第1实施方式的罩侧基板模块的俯视图。
[0012]图7是示出拆卸了第1实施方式的罩的状态的半导体存储装置的立体剖视图。
[0013]图8是沿着图7的VIII
‑
VIII线的剖视图。
[0014]图9是第2实施方式的半导体存储装置的剖视图。
[0015]图10是第2实施方式的基板模块的仰视图。
[0016]图11是第2实施方式的基板模块的俯视图。
[0017]标号说明
[0018]1…
半导体存储装置
[0019]2…
壳体
[0020]3…
基体侧基板模块(第2基板模块)
[0021]4…
罩侧基板模块(第1基板模块)
[0022]15
…
第2主壁(第1壁)
[0023]18a
…
第1侧壁(第2壁)
[0024]18b
…
第2侧壁(第2壁)
[0025]22
…
第1连通孔(连通孔)
[0026]23
…
第2连通孔(连通孔)
[0027]30
…
主基板(第2基板)
[0028]33
…
NAND(第2电子部件)
[0029]40
…
子基板(第1基板)
[0030]42
…
NAND(第1电子基板)
[0031]43
…
电容器(安装部件)
[0032]50
…
内板(散热板)
[0033]50A
…
第1板(散热板)
[0034]50B
…
第2板(散热板)
[0035]51
…
连接部
[0036]72
…
罩侧缓冲部(热传导性构件)
[0037]75
…
第1间隔件(间隔件)
[0038]76
…
第2间隔件(间隔件)
[0039]77
…
紧固连结销(保持部)
[0040]100
…
半导体存储装置
[0041]101
…
基板模块(第1基板模块)
[0042]110
…
基板(第1基板)
具体实施方式
[0043]以下，参照附图来说明实施方式的半导体存储装置。此外，在以下的说明中，对具有同一或类似的功能的结构标注同一标号。并且，存在省略这些结构的重复的说明的情况。在本说明书中，“平行”包括“大致平行”的情况。在本说明书中，“正交”包括“大致正交”的情况。在本说明书中，“相面对”意味着2个构件的至少一部分互相重叠。在本说明书中，“连接”不仅包括2个构件在中间什么也不夹设而相邻的情况，也包括在2个构件之间夹设别的构件的情况。另外，“相接”意味着在2个构件之间什么也不夹设而相邻。
[0044]首先，对X方向、Y方向及Z方向进行定义。X方向及Y方向是沿着后述的子基板40的第1面40a的方向中的互相交叉的方向(参照图2)。X方向是+X方向和
‑
X方向的统称。+X方向是从后述的壳体2的第2侧壁18b朝向第1侧壁18a的方向(参照图2)。以下，将+X方向为了方便而称作“+X”。
‑
X方向是与+X相反的方向。以下，将
‑
X方向为了方便而称作
“‑
X”。在不区分+X和
‑
X的情况下，简称作“X方向”。X方向是“第1方向”的一例。Y方向是+Y方向和
‑
Y方向的统称。+Y方向是从后述的DRAM32A朝向控制器31的方向(参照图3)。以下，将+Y方向为了方便而称作“+Y”。
‑
Y方向是与+Y相反的方向。以下，将
‑
Y方向为了方便而称作
“‑
Y”。在不区分+Y和
‑
Y的情况下，简称作“Y方向”。Y方向是“第2方向”的一例。Z方向是与X方向及Y方向交叉的方向。Z方向是+Z方向和
‑
Z方向的统称。+Z方向是从后述的基体侧基板模块3朝向罩侧基板模块4的方向(参照图2)。以下，将+Z方向为了方便而称作“+Z”。
‑
Z方向是与+Z相反的方向。以下，将
‑
Z方向为了方便而称作
“‑
Z”。在不区分+Z和
‑
Z的情况下，简称作“Z方向”。Z方向是后
述的主基板30、子基板40及基板110各自的厚度方向。
[0045](第1实施方式)
[0046]本实施方式的半导体存储装置1是例如SSD(Solid State Drive：固态驱动器)这样的存储装置。半导体存储装置1例如向服务器装置、个人计算机等信息处理装置安装。半导体存储装置1作为信息处理装置的存储区域来利用。在本实施方式中，将安装半导体存储装置1的信息处理装置称作主机装置。
[0047]半导体存储装置1例如具备壳体2、基体侧基板模块3、罩侧基板模块4及散热模块5。罩侧基板模块4是第1基板模块的一例。散热模块5相对于罩侧基板模块4位于+Z侧。
[0048]接着，对壳体2进行详细说明。图1是示出第1实施方式的半导体存储装置1的外观的一例的立体图。
[0049]壳体2构成半导体存储装置1的外廓。壳体2例如是以X方向为长边方向、以Y方向为短边方向、以Z方向为厚度方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，具备：壳体；第1基板模块，包括第1基板和安装于所述第1基板的1个以上的第1电子部件，容纳在所述壳体内；多个散热板，在所述壳体内在所述第1基板的厚度方向上与所述第1基板模块相面对的位置沿所述厚度方向配置；及1个以上的连接部，与所述第1基板模块及所述多个散热板相接。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，所述1个以上的连接部与所述1个以上的第1电子部件相接。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，所述1个以上的连接部包括多个连接部，所述1个以上的第1电子部件包括多个第1电子部件，所述多个连接部与所述多个第1电子部件分别相接。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，所述1个以上的连接部与所述壳体相接。5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，所述壳体具备在所述厚度方向上与所述第1基板模块相面对的第1壁，所述多个散热板配置于所述第1基板与所述第1壁之间。6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，所述第1基板模块具备在安装于所述第1基板的状态下在所述厚度方向上从所述第1基板向所述第1壁侧的突出量比所述1个以上的第1电子部件大的安装部件，所述散热板在从所述厚度方向观察时与所述安装部件错开的位置处配置于所述厚度方向上的所述安装部件的突出高度的范围内。7.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，在所述壳体中的朝向与所述厚度方向交叉的第1方向的第2壁形成有使所述壳体的内外连通的连通孔。8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，所述1个以上的连接部包...

【专利技术属性】
技术研发人员：松田柔晴，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：