天线制造技术

技术编号:3275981 阅读:136 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种天线,其包含基板、辐射部与信号馈入部。辐射部包含第一辐射单元与第二辐射单元。第一辐射单元和第二辐射单元位于基板的相同表面上。信号馈入部位于第一辐射单元上。第二辐射单元与第一辐射单元形状相同且位置相互对称,且第二辐射单元连接于第一辐射单元,以使第一辐射单元与第二辐射单元形成一封闭回路。如此一来,除了提高阻抗外,也可达到较宽的频宽。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种天线,特别涉及一种具有高阻抗且宽带的天线。
技术介绍
随着无线通讯科技的发展,使用者可不受地形限制,利用无线通讯系统进 行信息传输。而天线为无线通讯领域中重要的组件之一,目前天线的制作以印 刷电路板方式较受到制造厂商的青睐,其具有制造容易与成本低廉等优点。请参照图1A与图1B,图1A与图1B为现有全向性天线的示意图。其中, 图1A为现有的全向性天线正面示意图,图1B为现有的全向性天线反面示意 图。全向性天线具有基板l、信号馈入部2、第一线路3、第二线路4、第一辐 射部5与第二辐射部6。其中,第二辐射部6为接地部。现有的全向性天线的增益都不高。为了提高增益,多以串接的方式串接开 路式偶极天线。但是为了让串接的辐射单元或接地单元彼此间能阻抗匹配,因 此在开路式偶极天线的线路上,会制作较宽的金属线来传递信号。其中金属线 路制作较宽的方式,造成縮短了金属线与辐射单元的辐射端之间的间距,使金 属在线传递的信号影响了辐射端上的信号,造成金属线与辐射端之间的耦合效 应。这种金属线与辐射端之间的耦合效应,不只影响了辐射单元彼此间的阻抗 匹配,也使得频带的宽度受到限制。而另一方面,若为了避免金属线与辐射端 之间的耦合效应,而增加金属线与辐射端之间的间距,却容易造成全向性天线 的指向性过高。而为了避免现有的全向性天线的问题,通过将第一辐射单元的接点与第二 辐射单元的接点以钻孔焊接的方式来串接第一辐射单元与第二辐射单元的设 计,以形成循环式回路,利用具有循环式天线辐射单元的偶极天线的高阻抗特 性,可以达到较现有的技术更为宽带的功效,但是为了使第一辐射单元与第二 辐射单元连接,会使工艺的难度提高而降低良率。相关专利请参考中国台湾专利第M329254号。
技术实现思路
鉴于以上的问题,本技术提供一种天线,通过将辐射部与接地部连接 以形成封闭回路,利用循环式偶极天线的高阻抗特性,可以达到较为宽带的功 效,同时具有降低工艺难度与提高良率的作用。根据本技术所揭露的天线,包含有基板、辐射部与信号馈入部。辐射 部包含第一辐射单元与第二福射单元。第一辐射单元和第二辐射单元位于基板 的同一表面上,且信号馈入部位于第一辐射单元上。第二辐射单元与第一辐射 单元形状相同且位置相互对称。第二辐射单元连接于第一辐射单元,以使第一 辐射单元与第二辐射单元形成一封闭回路。于此,第二辐射单元作为此天线的 接地单元,并且经由信号馈入部馈入或馈出信号。根据本技术所揭露的另一天线,包含有基板、主信号馈入部、多个辐 射部与子信号馈入部。基板具有第一表面与第二表面,第一表面具有第一线路, 第二表面具有与第一线路叠合的第二线路。主信号馈入部位于第一线路与第二 线路上,以馈入或馈出信号。各辐射部包含第一辐射单元与第二辐射单元。第 一辐射单元与第二辐射单元位于第一表面,且第一辐射单元电性连接于第一线 路。同一辐射部的第二辐射单元与第一辐射单元形状相同且位置相互对称,且 第二辐射单元连接于第一辐射单元,以使第一辐射单元与第二辐射单元形成一 封闭回路。第二辐射单元作为此天线的接地单元。子信号馈入部位于第二线路 与第一辐射单元上,以馈入或馈出信号。根据本技术所揭露的天线,通过主信号馈入部与子信号馈入部将信号 馈入,并经由第一线路与第二线路传递至辐射部。因为第一辐射单元与该第二 辐射单元脚位相互连接在一起,形成循环式封闭回路,以提供高阻抗特性且更 为宽带的功效,同时具有降低工艺难度与提高良率的作用。以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述,但不作为对本实 用新型的限定。附图说明图1A为现有的全向性天线的第一面示意图;图IB为现有的全向性天线的第二面示意图2为本技术的第一实施例的示意图3A为本技术的第二实施例的第一表面示意图3B为本技术的第二实施例的第二表面示意图4为本技术第二实施例的驻波比的量测图5A为本技术的第二实施例以频率值1710MHz所做的水平面的中 心极化场形图5B为本技术的第二实施例以频率值1825MHz所做的水平面的中 心极化场形图5C为本技术的第二实施例以频率值1940MHz所做的水平面的中 心极化场形图5D为本技术的第二实施例以频率值2055MHz所做的水平面的中 心极化场形图5E为本技术的第二实施例以频率值2170MHz所做的水平面的中 心极化场形图6A为本技术的第二实施例以频率值1710MHz所做的垂直面的中 心极化场形图6B为本技术的第二实施例以频率值1825MHz所做的垂直面的中 心极化场形图6C为本技术的第二实施例以频率值1940MHz所做的垂直面的中 心极化场形图6D为本技术的第二实施例以频率值2055MHz所做的垂直面的中 心极化场形图;以及图6E为本技术的第二实施例以频率值2170MHz所做的垂直面的中 心极化场形图。其中,附图标记1基板2信号馈入部 3第一线路 4第二线路5第一辐射部 6第二辐射部 IO基板 ll表面20信号馈入部30第一辐射单元31本体32第一延伸部33第二延伸部34第一沟槽35第一沟槽40第二辐射单元41本体42第三延伸部43第四延伸部44第二沟槽45第二沟槽50基板51第一表面52第二表面53第一线路54第二线路60主信号馈入部70子信号馈入部80第一辐射单元81本体82第一延伸部83第二延伸部84第一沟槽85第一沟槽90第二辐射单元 91本体92第三延伸部 93第四延伸部 94第二沟槽 95第二沟槽具体实施方式请参照图2,图2为本技术第一实施例的示意图。如图2所示,天线 包含有基板10、信号馈入部20与辐射部。基板10具有一表面11。辐射部包含第一辐射单元30与第二辐射单元40。 第一辐射单元30与第二辐射单元40位于表面11上。第二辐射单元40用以作 为此天线的接地单元。第二辐射单元40系连接于第一辐射单元30,以使第一 辐射单元30与第二辐射单元40形成一循环式封闭回路。信号馈入部20位于 第一辐射单元30上,以馈入或馈出预定频段的信号。第-辐射单元30可具有本体31与由本体31两侧延伸出的第一延伸部32 与第二延伸部33。第二辐射单元40可具有本体41与由本体41两侧延伸出的 第三延伸部42与第四延伸部43。其中,第一延伸部32连接于第三延伸部42, 且第二延伸部33连接于第四延伸部43,致使第一辐射单元30与第二辐射单 元40形成循环式封闭回路。第一辐射单元30可更具有多个第一沟槽,以抑制漏电流对第一辐射单元 30的影响。第二辐射单元40亦可具有多个第二沟槽,以抑制漏电流对第二辐 射单元40的影响。于此,第二沟槽与第一沟槽可以形状相同且位置相互对称。当然第二沟槽 与第一沟槽也可以形状相异且不对称。于本实施例中,于第一辐射单元30的本体31上可具有第一沟槽34、 35。 于此,第一沟槽34、 35相互平行设置。其中,第一沟槽34的开口位于第一辐射单元30的本体31相对于第二辐 射单元40的另一侧(即第一辐射单元30的本体31的外侧),且第一沟槽34 由第一辐射单元30的本体31的外侧朝向第二辐射单元40延伸。其中,第一沟槽34的延伸方向可为于相应于第一辐射单元30的本体31外侧与第二辐射单元40之间本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种天线,其特征在于,包含: 一基板,具有一表面; 一辐射部,包含: 一第一辐射单元,位于该表面上;以及 一第二辐射单元,位于该表面上,以当作接地单元,该第二辐射单元与该第一辐射单元形状相同且位置相互对称,且该第二辐射单元连接于该第一辐射单元,以使该第一辐射单元与该第二辐射单元形成一封闭回路;以及 一信号馈入部,位于该第一辐射单元上,以馈入或馈出一信号。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑智仁杨朝闵
申请(专利权)人:寰波科技股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利