具有多个输出端口的射频功率产生器制造技术

一种射频(RF)功率产生器，其适用于耦合至多站式集成电路制造室，该射频功率产生器可以包含：振荡器，其提供周期性信号；以及一个以上的前置放大器，其各自具有用于从该振荡器接收信号的输入端口以及具有用于提供放大信号的输出端口。该RF产生器可额外包含一个以上的恒定增益放大器，其各自具有用于从该一个以上的前置放大器接收信号的输入端口、以及输出端口，该输出端口被配置成将放大信号耦合至电极以在该多站式集成电路制造室的指定的站中产生等离子体。生等离子体。生等离子体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有多个输出端口的射频功率产生器
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

技术介绍

[0002]集成电路设备的制造可涉及在半导体处理室中半导体晶片的处理。典型的处理可以包括：沉积，其中半导体材料可以例如以逐层的方式沉积；以及在半导体晶片的某些区域中材料的去除(例如，蚀刻)。在商业规模的制造中，每个晶片包含要制造的特定半导体设备的许多复制品，并且许多晶片可以利用来实现所需量的设备。因此，半导体处理操作的商业可行性可以至少在一定程度上取决于晶片内均匀性和处理条件的晶片间重复性。因此，努力确保给定晶片的每个部分以及在半导体处理室中所处理的每个晶片经历相同的处理条件。处理条件的变化会导致沉积和蚀刻速率的不期望的变化，进而可能导致整个制造过程中的不可接受的变化。这种变化可能降低电路性能，进而可能在例如利用集成电路设备的较高阶系统的性能产生不可接受的变化。
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于产生射频功率的装置，所述射频功率适用于耦合至多站式集成电路制造室，所述装置包含：振荡器，其被配制成产生周期性信号；多个可变增益前置放大器，其各自具有用于从所述振荡器接收信号的一输入端口以及具有用于提供不同幅值的信号的输出端口；多个恒定增益放大器，其各自具有用于从所述多个可变增益前置放大器中的一者接收信号的输入端口，且各自具有被配制成将放大的信号耦合至电极的输出端口，以在所述多站式集成电路制造室的指定的站中产生等离子体；以及多个传感器，所述多个传感器中的每一者被耦合至所述多个恒定增益放大器的对应的输出端口。2.根据权利要求1所述的装置，其中由所述振荡器产生的所述周期性信号包含介于300.0kHz与100.0MHz之间的频率。3.根据权利要求2所述的装置，其中由所述振荡器产生的所述周期性信号包含选自由以下项所组成的群组的频率：400.0kHz、1.0MHz、2.0MHz、13.56MHz、27.12MHz、60.0MHz以及100.0MHz。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个传感器中的每一者的输出端口被耦合至控制模块的输入端口，且其中来自所述控制模块的输出信号被耦合至输入端口以调整所述多个可变增益前置放大器的对应的可变增益前置放大器的增益。5.根据权利要求4所述的装置，其中所述多个传感器中的一者以上被配置成检测选自由以下项组成的群组的超出范围的参数：超出阈值的传输至所述多站式集成电路制造室的所述指定的站的功率；超出阈值的从所述多站式集成电路制造室的所述指定的站反射的功率；超出阈值的耦合至所述多站式集成电路制造室的所述指定的站的电流；以及超出阈值的施加至所述多站式集成电路制造室的所述指定的站的电压。6.根据权利要求4所述的装置，其中所述控制模块实现电路系统以在接收到来自所述多个传感器中的一者的信号10.0ns内提供所述输出信号。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个恒定增益放大器中的每一者提供至少约1000W的输出功率。8.一种用于产生射频功率的装置，所述射频功率用于耦合至多站式集成电路制造室，所述装置包含：振荡器，其被配制成产生周期性信号；前置放大器，其具有用于从所述振荡器接收信号的输入端口以及具有用于提供相对于所接收的所述信号具有恒定增益的信号的输出端口；多个可变增益放大器，其各自具有用于从所述前置放大器接收信号的输入端口，且各自具有被配制成将放大的信号耦合至电极的输出端口，以在所述多站式集成电路制造室的指定的站中产生等离子体；以及多个传感器，所述多个传感器中的每一者提供控制信号以改变所述多个可变增益放大器中的对应一者的输出功率。9.根据权利要求8所述的装置，其中由所述振荡器产生的所述周期性信号包含介于300.0kHz与100.0MHz之间的频率。
10.根据权利要求9所述的装置，其中由所述振荡器产生的所述周期性信号包含选自由以下项所组成的群组的频率：400.0kHz、1.0MHz、2.0MHz、13.56MHz、27.12MHz、60.0MHz以及100.0MHz。11.根据权利要求8所述的装置，其中所述多个可变增益放大器中的每一者能够提供至少约1000.0W的输出功率。12.根据权利要求8所述的装置，其还包含控制模块，所述控制模块具有电路系统以在接收到来自所述多个传感器中的一者的信号10.0ns内提供所述控制信号。13.一种多站式集成电路制造室，其包含：多个站；多个射频功率产生器，其被配置将射频功率耦合至所述多站式集成电路制造室的指定的站，各个射频功率产生器包含：可变增益前置放大器，其具有用于从振荡器接收信号的输入端口以及具有用于提供不同功率幅值的信号的输出端口；恒定增益放大器，其具有用于从所述可变增益前置放大器接收信号的输入端口，以及具有被配置成将功率耦合至所述指定的站的输出端口，被耦合至所述指定的站的所述功率将...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏尼尔，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：