一种等离子体刻蚀机的腔体制造技术

本实用新型专利技术提供了一种等离子体刻蚀机的腔体，包括分子泵、进气口、抽气口、匀气盘、载盘，所述进气口位于腔体顶部，所述抽气口位于腔体侧壁处，所述分子泵位于抽气口处，所述匀气盘上开有多个通气孔，所述通气孔为内外两圈呈环形分布，所述通气孔的开口位置、孔径大小、开口方向、开口角度或间距可调整，以使通过所述进气口导入所述腔体的反应气体均匀分流后导出腔体，从而达到提高整盘晶片刻蚀的速率，提高等离子体刻蚀均匀性的效果。提高等离子体刻蚀均匀性的效果。提高等离子体刻蚀均匀性的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体刻蚀机的腔体


[0001]本技术涉及微电子
，尤其涉及一种等离子体刻蚀机的腔体。

技术介绍

[0002]刻蚀是微细加工技术的一个重要组成部分，微电子学的快速发展推动其不断向前发展。从总体上说，刻蚀技术可分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种，初期的刻蚀以湿法刻蚀为主，但随着器件制作进入微米、亚微米时代，湿法刻蚀难以满足越来越高的精度要求。干法刻蚀一般为通过物理和化学两个方面相结合的办法来去除被刻蚀的薄膜。常用的干法刻蚀有很多种，其工作原理主要是刻蚀气体通过电感耦合的方式辉光放电，产生活性游离基、亚稳态粒子、原子等，同时在反应室内提供偏置电压，给等离子体提供能量，使等离子体垂直作用在晶片上，与其反应生成可挥发的气态物质，并被抽气设备抽走。干法刻蚀具有刻蚀速度快、选择比高、各向异性好、刻蚀损伤小、大面积均匀性好、刻蚀断面轮廓可控性高和刻蚀表面平整光滑等优点，操作简单，便于自动控制，可以满足制作超大规模集成电路、MEMS、光电子器件等各种微结构器件的要求。
[0003]随着技术的发展，对等离子体刻蚀的要求也越来越高，其中描述刻蚀效果的一个主要参数是均匀性。影响均匀性最主要因素是反应腔体内等离子体的分布，而腔体的结构与进气部分的设计共同决定了等离子体的分布。目前存在的刻蚀系统中，抽气口结构位于腔体的一侧，反应气体是经进气口进入腔体中，之后通过匀气盘上的通气孔使气体在腔体内部分散均匀，但抽气结构位于腔体一侧，这容易造成在工艺过程中抽气系统从抽气口抽走气体时晶片表面无法均匀接触到反应气体，尤其是远离抽气口区域的晶片表面接触反应气体不足，该区域晶片刻蚀速率较慢，刻蚀效果不佳，最终影响刻蚀均匀性。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术提供了一种等离子体刻蚀机的腔体，以解决现有的刻蚀腔体内部晶片与反应气体接触不均匀造成的晶片刻蚀速率较慢，晶片刻蚀均匀性不佳的问题。
[0005]本技术采用的技术方案是：一种等离子体刻蚀机的腔体，包括分子泵、进气口、抽气口、匀气盘、载盘，所述进气口位于腔体顶部，所述抽气口位于腔体侧壁处，所述分子泵位于抽气口处，所述匀气盘上开有多个通气孔，所述通气孔为内外两圈呈环形分布，所述通气孔的开口位置、孔径大小、开口方向、开口角度或间距可调整，以使通过所述进气口导入所述腔体的反应气体均匀分流后导出腔体。
[0006]优选的，所述腔体内部为圆柱形，所述匀气盘为圆形。
[0007]优选的，所述通气孔为贯穿所述匀气盘上表面和下表面的通孔。
[0008]优选的，远离所述抽气口一侧的通气孔与所述腔体侧壁的距离小于靠近所述抽气口一侧的通气孔与所述腔体侧壁之间的距离。
[0009]优选的，远离所述抽气口一侧的通气孔孔径大于靠近所述抽气口一侧的通气孔孔
径，且所述通气孔的孔径随着与所述抽气口之间的距离增加而增大。
[0010]优选的，靠近所述抽气口一侧的通气孔开口方向为垂直向下，远离所述抽气口一侧的通气孔开口方向与所述抽气口所在的方向相反，且开口角度随所述通气孔与所述抽气口之间的距离增加而增大。
[0011]优选的，靠近所述抽气口区域的通气孔分布排列稀疏，远离所述抽气口区域的通气孔分布排列密集。
[0012]优选的，所述匀气盘上的通气孔的孔径为1
‑
10mm。
[0013]优选的，所述匀气盘的盘体材质为氧化铝陶瓷、石英、氧化硅、氮化硅或铝合金。
[0014]本技术所公开的等离子体刻蚀机的腔体，通过调整腔体内部匀气盘上的通气孔
[0015]开口位置、孔径大小、开口方向、开口角度或间距，能够有效解决腔体内部反应气体分布不均匀，晶片与反应气体接触不均匀造成的晶片刻蚀速率慢、刻蚀均匀性不佳的问题。在进行等离子体刻蚀的过程中，反应气体经进气口进入腔体，并经由匀气盘上的通气孔而变得均匀，保证了腔体内部的晶片能够与反应气体更加均匀地进行接触，从而提高整盘晶片刻蚀的速率，提高等离子体刻蚀的均匀性。
[0016]本技术的附加优点、目的，以及特征将在下面的描述中将部分地加以阐述，且将对于本领域普通技术人员在研究下文后部分地变得明显，或者可以根据本技术的实践而获知。本技术的目的和其它优点可以通过在书面说明及其权利要求书以及附图中具体指出的结构实现到并获得。
[0017]本领域技术人员将会理解的是，能够用本技术实现的目的和优点不限于以上具体所述，并且根据以下详细说明将更清楚地理解本技术能够实现的上述和其他目的。
附图说明
[0018]此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术的限定。附图中的部件不是成比例绘制的，而只是为了示出本技术的原理。为了便于示出和描述本技术的一些部分，附图中对应部分可能被放大，即，相对于依据本技术实际制造的示例性装置中的其它部件可能变得更大。在附图中：
[0019]图1为现有技术中刻蚀腔体内匀气盘上通气孔的示意图。
[0020]图2为实际情况下的刻蚀气体气流分布示意图。
[0021]图3为理想状态下的刻蚀气体气流分布示意图。
[0022]图4为本技术一实施例中的匀气盘上的通气孔的示意图。
[0023]图5为本技术一实施例中的匀气盘上的通气孔的示意图。
[0024]图6为本技术一实施例中的匀气盘上的通气孔的示意图。
[0025]图7为本技术一实施例中的匀气盘上的通气孔的示意图。
具体实施方式
[0026]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图对本技术实施例做进一步详细说明。在此，本技术的示意性实施例及其说明用于解
释本技术，但并不作为对本技术的限定。
[0027]在此，需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本技术，在附图中仅仅示出了与根据本技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本技术关系不大的其他细节。
[0028]应该强调，术语“包括/包含/具有”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。
[0029]在此，还需要说明的是，本说明书内容中所出现的方位名词是相对于附图所示的位置方向；如果没有特殊说明，术语“连接”在本文不仅可以指直接连接，也可以表示存在中间物的间接连接。直接连接为两个零部件之间不借助中间部件进行连接，间接连接为两个零部件之间借助其他零部件进行连接。
[0030]在下文中，将参考附图描述本技术的实施例。在附图中，相同的附图标记代表相同或类似的部件。
[0031]附图1是现有技术中刻蚀腔体内匀气盘上通气孔的示意图，抽气口300位于腔体100一侧的内壁上，匀气盘200上设置有通气孔400，通气孔400呈同心圆环形分布，且通气孔的孔径大小、间距均相同。现有技术中的刻蚀腔体内部存在着靠近抽气口300处的气体流量较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀机的腔体，包括分子泵、进气口、抽气口、匀气盘、载盘，所述进气口位于腔体顶部，所述抽气口位于腔体侧壁处，所述分子泵位于抽气口处，所述匀气盘上开有多个通气孔，所述通气孔为内外两圈呈环形分布，其特征在于，所述通气孔的开口位置、孔径大小、开口方向、开口角度或间距可调整，以使通过所述进气口导入所述腔体的反应气体均匀分流后导出腔体。2.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀机的腔体，其特征在于，所述腔体内部为圆柱形，所述匀气盘为圆形。3.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀机的腔体，其特征在于，所述通气孔为贯穿所述匀气盘上表面和下表面的通孔。4.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀机的腔体，其特征在于，远离所述抽气口一侧的通气孔与腔体侧壁的距离小于靠近所述抽气口一侧的通气孔与腔体侧壁之间的距离。5.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀机的腔体，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴福仁，霍曜，李彬彬，李瑞评，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：