一种等离子体处理装置及其方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理装置及其方法，该装置包含：真空反应腔，其内具有下电极组件和可移动上电极组件；若干个升降装置与可移动上电极组件连接以使其升降，升降装置包含支撑柱和驱动装置，驱动装置用于驱动支撑柱以使可移动上电极组件升降；若干个气体通道，分别由真空反应腔外部延伸经过真空反应腔底部、支撑柱内部、可移动上电极组件以将工艺气体注入真空反应腔内；若干个导电可伸缩密封结构，分别设置于支撑柱内且环绕气体通道的周围。其优点是：将升降装置、气体通道和密封结构相结合，真空反应腔顶部多次开关也不会影响可移动上电极组件，更容易保持所述可移动上电极组件和晶圆、下电极组件之间的同心度，保证了斜边刻蚀的工艺效果。刻蚀的工艺效果。刻蚀的工艺效果。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置及其方法


[0001]本专利技术涉及半导体设备领域，具体涉及一种等离子体处理装置及其方法。

技术介绍

[0002]在晶圆处理过程中，往往通过等离子气体来对晶圆或沉积在晶圆上的膜进行蚀刻。整个工艺过程中，等离子体处理装置的上电极组件和晶圆的对中性对晶圆的刻蚀效果影响巨大。
[0003]现有的等离子体处理装置中较多为可移动上电极组件设计，其广泛应用于晶圆刻蚀尤其是晶圆边缘刻蚀(wafer edge etching)领域。在传送晶圆进出真空反应腔时，上电极组件抬起；对晶圆进行处理时，上电极组件下降并与晶圆之间留下微小的间距。因此，上电极组件在下降到晶圆附近时，需要与晶圆、下电极组件保持极高的同心度，使得晶圆边缘暴露在等离子体中的部分在圆周方向对称，才能得到均匀的刻蚀，以保证斜边刻蚀(bevel etch)的效果。
[0004]在等离子体处理装置中上电极组件通常与真空反应腔的腔体端盖连接，日常运维工作时，需要经常打开腔体端盖对腔内结构进行调整，腔体端盖每次翻转开关后都需要重新对其进行对中调整以及与上电极组件的联动，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：真空反应腔，所述真空反应腔内具有下电极组件和可移动上电极组件，所述下电极组件设置有承载面，用于承载待处理晶圆；若干个升降装置，与所述可移动上电极组件连接以使所述可移动上电极组件升降，所述升降装置包含支撑柱和驱动装置，所述支撑柱的一端与所述可移动上电极组件连接，所述支撑柱的另一端与所述驱动装置连接，所述驱动装置用于驱动所述支撑柱以使得所述可移动上电极组件升降；若干个气体通道，分别由所述真空反应腔外部延伸经过所述真空反应腔底部、所述支撑柱内部、所述可移动上电极组件，所述气体通道用于将工艺气体注入所述真空反应腔内；若干个导电可伸缩的密封结构，分别设置于所述支撑柱内，所述密封结构环绕设置于所述气体通道的周围，所述密封结构一端与所述可移动上电极组件底部连接，另一端与所述真空反应腔底部连接。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述真空反应腔底部开设有若干个凹槽结构，所述驱动装置驱动所述支撑柱升降以带动所述可移动上电极组件升降，所述可移动上电极组件处于低位时所述支撑柱底部位于所述凹槽结构内，以使所述可移动上电极组件和晶圆的中心对齐。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述可移动上电极组件包含：绝缘隔离部，设置于所述可移动上电极组件的底部，与晶圆中央区域相对设置；上电极环，环绕设置于所述绝缘隔离部的外侧，所述上电极环与晶圆边缘区域相对设置；所述下电极组件包含：下电极环，环绕设置于晶圆边缘区域，所述下电极环和所述上电极环相对设置。4.如权利要求1或3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体通道为边缘进气通道或中央进气通道，所述边缘进气通道包含边缘喷淋口以将第一气体注入晶圆边缘区域的上方，所述中央进气通道包含中央喷淋口以将第二气体注入晶圆中央区域的上方。5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘进气通道内的第一气体包括含F、Cl的刻蚀气体和/或清洁气体；所述中央进气通道内...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵馗，杜若昕，吴狄，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：