基板处理装置、基板支承件、半导体装置的制造方法及程序制造方法及图纸

本发明专利技术具备：处理室，其进行针对基板的处理；基板支承件，其在处理室内支承基板，在基板支承件上沿着基板配设有板状部件，所述板状部件在中央部与位于比中央部靠外侧处的外周部厚度不同。厚度不同。厚度不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、基板支承件、半导体装置的制造方法及程序


本公开涉及基板处理装置、基板支承件、半导体装置的制造方法及程序。

技术介绍

作为在半导体装置的制造工序中使用的基板处理装置，例如有在处理管(反应管)的下方设置了负载锁定腔室(下部腔室)的所谓立式装置。这样的基板处理装置构成为使支承基板的舟皿(基板支承件)在处理管与负载锁定腔室之间升降，并且在舟皿收纳于处理管的状态下对基板进行规定的处理(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002
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368062号公报

技术实现思路

专利技术要解决的课题本公开提供一种能够提高基板处理中的基板的面内温度分布的均匀性的技术。用于解决课题的手段根据本公开的一方式，提供一种与基板处理装置相关的技术，所述基板处理装置具有：处理室，其进行针对基板的处理；基板支承件，其在所述处理室内支承所述基板，在所述基板支承件上沿着所述基板配设有板状部件，所述板状部件在中央部与位于比所述中央部靠外侧处的外周部厚度不同。专利技术效果根据本公开，能够提高基板处理中的基板的面内温度分布的均匀性。
附图说明
图1是在本公开的一方式中优选使用的基板处理装置的概略结构图，是用纵剖视图表示处理炉部分的图(其1)。图2是在本公开的一方式中优选使用的基板处理装置的概略结构图，是用纵剖视图表示处理炉部分的图(其2)。图3中，(a)是表示在本公开的一方式中优选使用的基板处理装置的主要部分结构的一例的放大图，(b)、(c)分别是表示在本公开的一方式中优选使用的基板处理装置的主要部分结构的变形例的放大图。图4是在本公开的一方式中优选使用的基板处理装置具有的控制器的概略结构图，是用框图表示控制器的控制系统的图。
图5是表示在本公开的一方式中优选使用的基板处理装置中进行的成膜工序的过程的流程图。
具体实施方式
<本公开的一方式>以下，一边参照图1～图5一边对本公开的一方式进行说明。(1)基板处理装置的结构本实施方式的基板处理装置在半导体装置的制造工序中使用，构成为将成为处理对象的基板每多张(例如5张)集中而进行处理的立式基板处理装置。作为成为处理对象的基板，例如列举有制作半导体集成电路装置(半导体器件)的半导体晶片基板(以下，简称为“晶片”)。如图1所示，本实施方式的基板处理装置具有立式处理炉1。立式处理炉1具有作为加热部(加热机构、加热系统)的加热器10。加热器10为圆筒形状，支承于作为保持板的加热器基座(未图示)，由此，相对于基板处理装置的设置地板垂直地安装。加热器10也作为利用热使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥作用。在加热器10的内侧配设有与加热器10呈同心圆状地构成反应容器(处理容器)的反应管20。反应管20具有具备内管(内管)21和呈同心圆状地包围内管21的外管(外管)22的双重管结构。内管21和外管22分别由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成。内管21形成为上端和下端开口的圆筒形状。外管22形成为上端封闭且下端开口的圆筒形状。内管21的上端部延伸至外管22顶部的附近。在内管21的筒中空部形成有进行针对晶片200的处理的处理室23。处理室23构成为能够以从处理室23内的一端侧(下方侧)朝向另一端侧(上方侧)排列的状态收纳晶片200。也将在处理室23内排列多张晶片200的区域称为基板排列区域(晶片排列区域)。另外，也将在处理室23内排列晶片200的方向称为基板排列方向(晶片排列方向)。在外管22(反应管20)的下方配设有下部腔室(负载锁定腔室)30。下部腔室30例如由不锈钢(SUS)等金属材料构成，内径与内管21的内径大致相同，形成为上端开口且下端封闭的圆筒形状(无盖有底的圆筒形状)。下部腔室30被配设成与内管21连通。在下部腔室30的上端部设置有凸缘31。凸缘31例如由SUS等金属材料构成。凸缘31的上端部构成为分别与内管21和外管22的下端部卡合，支承内管21和外管22，即反应管20。内管21和外管22与加热器10一样被垂直地安装。在下部腔室30的筒中空部(封闭空间)形成有作为用于移载晶片200的搬送空间发挥功能的移载室(负载锁定室)33。在处理室23内，以贯通内管21和外管22的方式设置有作为气体供给部的喷嘴24。喷嘴24例如由石英或SiC等耐热性材料构成，构成为L字型的长喷嘴。喷嘴24与气体供给管51连接。气体供给管51与2根气体供给管52、54连接，构成为能够向处理室23内供给多种、在此为2种气体。气体供给管51、52、54及后述的气体供给管53、55、56分别由例如SUS等金属材料构成。在气体供给管52中从气流的上游侧起依次设置有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)52a和作为开闭阀的阀52b。在气体供给管52的比阀52b靠下游侧处连接气体供给管53。在气体供给管53中从气流的上游侧起依次设置有MFC53a及阀53b。
在气体供给管54中从气流的上游侧起依次设置有MFC54a及阀54b。在气体供给管54的比阀54b靠下游侧处连接气体供给管55。在气体供给管55中从气流的上游侧起依次设置有MFC55a及阀55b。在下部腔室30的侧壁下方连接气体供给管56。在气体供给管56中从气流的上游侧起依次设置有MFC56a及阀56b。与气体供给管51的顶端部连接的喷嘴24以沿着内管21的内壁从处理室23的下部区域延展至上部区域的方式(以朝向晶片200的排列方向上方立起的方式)设置于内管21的内壁与晶片200之间的空间。即，喷嘴24以沿着晶片排列区域的方式设置于排列有晶片200的晶片排列区域的侧方的、水平地包围晶片排列区域的区域。在喷嘴24的侧面设置有供给气体的气体供给孔24a。气体供给孔24a以朝向反应管20的中心的方式开口，能够朝向晶片200供给气体。在与支承于舟皿41的晶片200对置的位置，从反应管20(喷嘴24)的下部到上部设置多个气体供给孔24a。作为第一处理气体(第一成膜气体、第一含金属气体)即原料气体(原料)，能够从气体供给管52经由MFC52a、阀52b、气体供给管51、喷嘴24向处理室23内供给卤代硅烷系气体，所述卤代硅烷系气体包含作为构成形成于晶片200上的膜的主元素(规定元素)的硅(Si)和卤素元素。原料气体是指气体状态的原料，例如通过将常温常压下为液体状态的原料气化而得到的气体、常温常压下为气体状态的原料等。卤代硅烷系气体是指具有卤素基团的硅烷系气体。卤素基团包含氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)等卤素元素。作为卤代硅烷系气体，例如能够使用包含Si和Cl的原料气体，即氯硅烷系气体。氯硅烷系气体作为Si源发挥作用。作为氯硅烷系气体，例如能够使用六氯乙硅烷(Si2Cl6，简称：HCDS)气体。作为第二处理气体(第二成膜气体)即反应气体(反应体)能够从气体供给管54经由MFC54a、阀54b、气体供给管51、喷嘴24向处理室23内供给含氧(O)气体。含O气体作为O源(氧化气体、氧化剂)发挥作用。作为含O气体，例如能够使用氧(O2)气体。作为非活性气体能够从气体供给管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理室，其进行针对基板的处理；基板支承件，其在所述处理室内支承所述基板，在所述基板支承件上沿着所述基板配置有板状部件，所述板状部件在中央部与位于比所述中央部靠外侧处的外周部厚度不同。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述板状部件的所述外周部的厚度比所述中央部的厚度厚。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述中央部是所述板状部件中的与所述基板对置的部分。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述板状部件以使所述板状部件的表面与所述基板的背面对置，并且与所述基板的表面平行的方式配设于所述基板支承件。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述板状部件以使与所述基板的表面对置的空间大于与所述基板的背面对置的空间的方式配设于所述基板支承件。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置具有：气体喷嘴，其对所述处理室内的基板供给处理气体，所述基板支承件以在垂直方向上分别隔开间隔地排列的方式支承多个所述基板，所述板状部件被配设为使设置于所述气体喷嘴的多个气体供给孔的高度位置分别位于所述板状部件的所述外周部的背面与所述基板的表面之间。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述板状部件的厚度随着从所述板状部件的径向内侧朝向外侧而变厚。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述板状部件的所述外周部的厚度在周向的整周上比所述中央部的厚度厚。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述板状部件的所述外周部的背面比所述中央部的背面突出。10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述板状部件由高热传导材料形成。11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述板状部件的所述中央部与所述外周部由互不相同的材料形成。12.根据权利要求1所述的基板处理装...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈岛优作，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：